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CSNSⅡ离子源及LEBT真空系统

Vacuum System for CSNS Ⅱ Ion Source and LEBT

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CSNSⅡ加速器的束流打靶功率从100kW升级至500kW,要求直线加速器平均束流功率从目前的5kW提高到25kW,脉冲束流强度从目前的12.5mA提高到大于40mA.为此,需将当前使用的潘宁(Penning)型表面负氢离子源更改为射频(RF)负氢离子源.考虑到切束器的切束比范围在35％～50％,LEBT通过率可达到75％～95％,故RF负氢离子源需要产生至少50mA的负氢离子束.负氢离子源氢气用量也需要由目前的10sccm提高至不低于20sccm,同时要求LEBT第二腔真空度≤5.0×10-3Pa.基于此,本文对离子源及LEBT真空系统进行了改造,提高了LEBT的束流通过率.并且对比了国内外两款磁悬浮分子泵对氢气的抽速,为后期分子泵的选型以及国产化替代提供一定的参考.

刘顺明、宋洪、王鹏程、刘佳明、关玉慧、谭彪、孙晓阳、陈卫东、刘盛进、欧阳华甫

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散裂中子源科学中心,广东 东莞 523808

中国科学院高能物理研究所,北京 100049

RF负氢离子源 LEBT真空系统 分子泵系统改造 氢气抽速

国家自然科学基金面上项目

11875271

2022

10.13385/j.cnki.vacuum.2022.04.05

真空
中国机械工业集团公司沈阳真空技术研究所

真空

CSTPCD
影响因子：0.926
ISSN：1002-0322
年,卷(期)：2022.59(4)
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