针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时,沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题,本文采用真空直流磁控溅射技术,利用一种高含碳量的SiC靶材,在平面玻璃衬底表面沉积SiC薄膜,通过改变直流电源功率、溅射气压,研究了不同参数对薄膜沉积速率、薄膜厚度均匀性的影响.采用台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)分别对薄膜厚度、横截面形貌和Si、C含量进行检测表征,从而得到最佳工艺参数.实验结果表明:在相同的溅射气压条件下,当溅射功率为2000W、电压为420V时,薄膜沉积速率达到15.39nm·min-1;相同的直流电源功率条件下,当溅射气压为0.8Pa时,沉积薄膜的厚度均匀性较好,变异系数在3％以内,同时薄膜沉积速率达到10.67nm·min-1;采用直流磁控溅射技术所制备的薄膜内部致密无孔洞,Si、C总含量在99％以上.
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