摘要
采用交流电化学沉积法,在小孔径的阳极氧化铝模板里,成功制备了Co磁纳米线有序阵列.通过机械抛光、化学抛光工艺,样品表面平整度可达到±10 nm/μm2左右.采用透射显微镜(TEM)、扫描探针显微镜(SPM)观察了样品的表面形貌、Co纳米线的微观形貌和与形貌对应的磁畴图像.结果表明,纳米磁记录阵列膜里的每一根Co纳米线均为单畴结构,磁畴分布非常有序且与氧化铝微孔的形貌分布一一对应,畴的大小随磁力针尖离样品的高度不同略有变化;在一定的高度范围内,磁针离样品的高度和扫描速度不影响观察到的磁畴分布.样品在2 T的外场下磁化后,大多数磁矩发生了反转.发现了相邻位之间磁畴的磁矩取反现象,这种阵列膜具有量子磁盘的原型结构.制备的阵列结构孔密度可达1011/cm2,如果每一个单畴存储二进制单元的一个信息位,相应的存储密度应达100 Gbit/in2以上.该纳米磁记录阵列,有望成为新型的超高密度量子磁盘.
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