制造业自动化2012，Vol.34Issue(5) ：102-104.DOI:10.3969/j.issn.1009-0134.2012.3(上).32

电子束辐照对GaN基蓝光LED特性参数影响

The parameter influence of electron beam irradiation on GaN based blue LED

刘海浪 张瑞宾 黄以平
制造业自动化2012，Vol.34Issue(5) ：102-104.DOI:10.3969/j.issn.1009-0134.2012.3(上).32
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电子束辐照对GaN基蓝光LED特性参数影响

The parameter influence of electron beam irradiation on GaN based blue LED

刘海浪 1张瑞宾 1黄以平1
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作者信息

  • 1. 桂林电子科技大学机电工程学院,桂林541004
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摘要

本文利用能量为1-3MeV、最大功率为90KW的工业用地那米型电子加速器产生的低能电子束对GaN基蓝光LED进行了电子束辐照实验,对比了辐照前后的LED颜色参数,光度参数的变化,同时对实验结果进行分析和讨论.结果表明,在电子束辐照下,LED的主波长发生了漂移,色纯度提高,光通量、光效都有所降低,并且发现电子束辐照会引起LED芯片量子阱中的原子位移,非复合型复合,降低少子寿命.

关键词

电子束辐照/LED/GaN/特性参数

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基金项目

广西制造系统与先进制造技术重点实验室主任基金(09-007-05_014)

出版年

2012
制造业自动化
北京机械工业自动化研究所

制造业自动化

CSTPCD北大核心
影响因子：0.482
ISSN：1009-0134
被引量2
参考文献量1
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