Моделирование депассивации границы раздела Si-SiO_2 в структуре LDMOS-транзистора с применением САПР Sentaurus TCAD

扫码查看

原文链接

外文标题：Моделирование депассивации границы раздела Si-SiO_2 в структуре LDMOS-транзистора с применением САПР Sentaurus TCAD

外文关键词：

депассивацияLDMOS-транзисторпроцесс деградацииграница раздела Si-SiO_2прогнозирование надежности

作者：

Р. Алексеев、В. Мальцев

展开 >

作者单位：

АО«НИИЭТ», ведущий инженер

АО «НИИЭТ», инженер-технолог 3 категории

出版年：

2025

DOI：

Электроника: Наука, технология, бизнес

ISSN：1992-4178

年,卷(期)：2025.(2)