摘要
三维存储正成为后二十纳米技术代存储器技术的主要发展趋势，从二维时代到三维时代的转变为我国存储技术的自主发展提供了良好的历史机遇。在众多的新型不挥发存储器中，阻变存储器（RRAM）由于其结构简单、易于三维堆叠，而备受关注，是一种非常有希望得到广泛应用的新型存储技术。良好的微缩能力是衡量新型存储技术可持续发展生命力的重要指标，在高密度三维集成中显得尤为关键。由电子/离子移动引起的局域化导电细丝的形成和断裂主导着器件的阻变效应，从理论上讲，局域化的阻变机制使阻变存储器具有优越的可微缩特性，但针对小尺寸阻变器件的微观机理，尚存在若干基础科学问题有待深入探讨，主要包括纳米尺度阻变材料中的电荷输运机制、阻变存储器的可微缩极限，极限纳米尺寸下阻变存储器的新奇物理现象（如电导量子化、磁电耦合效应）等。本项目围绕纳米尺度三维阻变存储器若干物理问题出发，研究阻变存储器机理、选通器件、阵列集成、多场调控、以及基于阻变阵列的非易失逻辑等方面，深入理解器件中电子、自旋、离子的输运机制，为阻变机理的研究、存储密度的提高、性能的改善以及器件应用的拓展提供新方法。
NSTRS