摘要
本研究对高质量高In组分InGaN材料生长技术进行了研究。本研究通过利用Si衬底引入的张应力，提高材料外延的生长温度，并采用V坑结构屏蔽量子阱中的位错以及合适的量子阱结构等，解决了受大压应力的长波长量子阱铟镓氮相分离问题，显著地提高了Si衬底黄、绿光LED的载流子注入效率和辐射复合效率。用自制MOCVD高端装备，通过工艺创新,提升了长波长量子阱铟镓氮生长温度和晶体质量，实现了高光效黄光LED制造技术关键性突破。利用V形三维PN结改善了空穴输运，提高发光效率。根据第三方出具的测试报告，本研究研制的有效面积为1mm2的黄光（570±5nm）LED，在200mA下（电流密度20A/cm2）的功率效率达26.7％；本研究研制的有效面积为1mm2的绿光（520±5nm）LED，在200mA下（电流密度20A/cm2）的功率效率达48.19％。已完成2019年的年度目标。
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