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高光效蓝光与青光LED材料与芯片制造技术研究

张家宏 王锋 唐军 陶涛 康香宁

高光效蓝光与青光LED材料与芯片制造技术研究

张家宏 1王锋 1唐军 2陶涛 3康香宁4
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作者信息

  • 1. 厦门市三安光电科技有限公司
  • 2. 合肥彩虹蓝光科技有限公司
  • 3. 南京大学
  • 4. 北京大学
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摘要

课题二主要通过对全光谱色系中蓝、青光的所涉及的关键科学问题进行攻关。490nm 附近的青光LED 相对于蓝光波段技术难点主要为较高铟组分量子阱中的应力调控,开展高效发光新型器件结构设计与制备。采用的关键技术包括:蓝光:衬底结构(PSS)、金属电极反射层、电流扩散层、衬底侧面结构(隐切)、DBR、钝化层等各层的优化,青光:渐变组分及高铟组分缓冲层削弱应力积累,组分/厚度阶梯状多量子阱结构设计与制备技术,三角/六角形器件结构的设计与制备等。预期成果:蓝光获得新型高取光效率的纳米图形化衬底制备技术,新型高取光效率的银基电极结构制备技术等,蓝光(455±5nm)LED 功率效率≥70%,青光LED外延新结构研究中获得新结构,掌握有效调控量子阱应力的方法,青光(490±5nm)LED 功率效率≥55%,申请国内外发明专利13 件,发表高水平论文9 篇。

关键词

衬底结构(PSS)/金属电极反射层/电流扩散层/衬底侧面结构(隐切)/DBR/钝化层

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全文页数

59

报告类型

年度报告

编制时间

2019-11-30

立项年

2016
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