首页期刊导航|半导体技术
期刊信息/Journal information
半导体技术
半导体技术

赵小宁

月刊

1003-353X

bdtj1339@163.com

0311-87091339

050002

石家庄179信箱46分箱

半导体技术/Journal Semiconductor TechnologyCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版) 全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊,河北省优秀期刊。《半导体技术》的稿源及读者对象主要是全国各研究机构、大专院校和企事业单位等。
正式出版
收录年代

    功率器件芯片自发热对水汽入侵的抑制作用

    吴天华王延浩邓二平王作艺...
    77-85页
    查看更多>>摘要：为探究高温高湿环境中功率器件芯片 自发热现象对水汽入侵的抑制作用机理及其对功率器件静态参数和封装可靠性的影响,将器件分成三组进行功率循环测试对比实验.第一组器件直接进行功率循环测试;第二组器件在60 ℃/85％RH环境储存1 000 h再进行功率循环测试;第三组器件在60 ℃/85％RH环境储存1 000 h期间导通电流,令芯片自发热模拟实际工况(芯片结温为120℃),然后进行功率循环测试.实验结果显示,水汽入侵会使功率器件的静态参数发生漂移,缩短器件功率循环寿命.器件功率循环寿命缩短的原因是水汽入侵腐蚀了器件键合线,影响了键合线可靠性.功率器件芯片自发热可以抑制水汽入侵,减小由水汽入侵导致的静态参数漂移及其对器件键合线的腐蚀作用.

    高温高湿功率器件静态参数功率循环封装可靠性键合线

      原文链接:
    • 万方数据
    • 维普

    基于WOA优化FNN-PID的单晶硅加热炉炉温控制

    周佳凯张洪
    86-94页
    查看更多>>摘要：针对单晶硅加热炉炉温控制的大惯性、强耦合、长调节时间等问题,提出了基于鲸鱼优化算法(WOA)的优化模糊神经网络(FNN)比例-积分-微分(PID)算法.通过测试实验装置的温度推算出模型表达式,采用WOA进行迭代寻优,得到合适的PID参数,利用FNN对PID参数进行实时调整,以实现动态解耦.通过仿真软件进行仿真验证,并在搭建的模型上分别进行阶跃响应实验和信号跟随实验.仿真结果表明,相较于传统的PID算法和FNN-PID算法,基于WOA的优化FNN-PID算法有效提升了系统的升温速度且无超调.对加热炉进行升温实验,结果表明温度超调量最高为0.9 ℃,恒温区温控精度保持在±0.3℃,表明该方法可有效提升系统升温速度和稳定性.

    多温区温度控制鲸鱼优化算法(WOA)模糊神经网络(FNN)比例-积分-微分(PID)单晶硅加热炉

      原文链接:
    • 万方数据
    • 维普

    钼铜载体与铝合金外壳的无压纳米银胶低温烧结强度

    陈澄尹红波王成倪大海...
    95-100页
    查看更多>>摘要：纳米银胶的烧结温度一般为250 ℃及以上,而在功率模块装配过程中,多温度梯度装配工艺要求纳米银胶的烧结温度不得超过217 ℃.使用800HT2V纳米银胶烧结钼铜载体与铝合金外壳,观察了不同烧结温度下纳米银胶装配后的微观形貌,测试了其装配后剪切强度、热导率的变化,并进行了温度冲击试验.测试结果表明,烧结样品剪切强度均符合标准要求,随着烧结温度的升高,纳米银胶热导率及剪切强度明显提升,且在最高温度200 ℃下烧结充分,并形成致密的烧结体.在温度冲击试验后烧结样品的剪切强度均有一定程度的下降,最高温度150 ℃和175 ℃烧结的纳米银胶烧结样品剪切强度下降超过40％,而最高温度200℃烧结的样品剪切强度只下降21.2％.考虑到功率模块的长期可靠性,纳米银胶推荐使用最高温度200 ℃烧结.

    无压纳米银胶烧结钼铜载体铝合金外壳剪切强度热导率可靠性

      原文链接:
    • 万方数据
    • 维普