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期刊信息/Journal information
桂林电子科技大学学报
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学学报

桂林电子科技大学

郑继禹

双月刊

1673-808X

jgiet@guet.edu.cn

0773-2291014 2290812

541004

广西桂林市金鸡路1号

桂林电子科技大学学报/Journal Journal of Guilin University of Electronic TechnologyCSTPCD
查看更多>>《桂林电子科技大学学报》是桂林电子科技大学主管主办的以反映自然科学研究成果为主的综合性学术期刊。主要刊载信息与通信工程、信号与信息处理、计算机应用技术、仪器科学与技术、控制理论与控制工程、机械设计制造及其自动化、管理科学与工程、电磁场与微波技术、机械电子工程、工业艺术设计、材料加工工程、信息与计算科学、应用数学、工商管理等方面的学术论文。读者对象为相关专业的科研人员、工程技术人员及高等院校师生。继承：《桂林电子工业学院学报》
正式出版
收录年代

    具有AlN钝化层的AlGaN/GaN HEMT热性能

    程识李琦崔现文叶健...
    181-189页
    查看更多>>摘要：在现代电力电子和射频应用领域,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)因其卓越的电性能和高功率密度而备受关注.然而,随着这些应用对功率密度的要求日益增长,AlGaN/GaN HEMT器件的热管理问题逐渐凸显,成为限制器件性能进一步提升的关键因素,尤其是在高功率条件下,自热效应会导致器件结温升高,从而影响器件的可靠性和寿命.因此,开发新的结构以优化AlGaN/GaN HEMT的热性能,对于推动这一技术的商业化应用具有重要意义.为提高AlGaN/GaN HEMT的热性能,描述了具有AlN/SiN钝化层的AlGaN/GaN HEMT器件的自热效应,使用半导体器件模拟工具TCAD进行模拟.由于在器件顶部引入了额外的AlN钝化层,因此比传统的只有SiN钝化的器件表现出更优异的热性能.讨论了不同的AlN厚度(0～10 pm)对GaN HEMT性能的影响,结果表明,AlN厚度为5μm的器件表现出较好的性能.提出的AlN/SiN堆叠钝化HEMT晶格温度为477 K,而传统的SiN钝化HEMT晶格温度为578 K.并且分别对比了具有AlN/SiN钝化层的AlGaN/GaN HEMT器件与传统AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性曲线、转移特性曲线、瞬态漏电流响应曲线以及增益-频率特性曲线.

    GaNHEMT热特性自热效应TCAD晶格温度

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    基于向量法近似的圆弧SAR成像方法

    蒋留兵姚思呈车俐
    190-195页
    查看更多>>摘要：Arc SAR是一种能够在短时间内可重复扫描360°的雷达成像技术,具有重访周期短,观测范围广等优点,在边坡检测、山体滑坡等场景中有着广泛的应用前景.在Arc SAR模式下雷达随着机械臂进行圆周运动来形成合成孔径,因其运动轨迹不是直线,所以不能直接运用传统直线导轨的成像方法,需为Arc SAR设计新的成像算法,然而现有的成像方法不能很好地平衡精度和复杂度.在距离多普勒算法中,由于采用泰勒展开来近似斜距,导致成像质量不佳,或是需采取分割策略进行成像.因此,提出了一种新的距离多普勒算法,利用目标与雷达的向量关系进行近似,求得了近似斜距表达式,继而得到了距离多普勒域的信号表达式.基于这一表达式,提出了相应的相位误差补偿方法,完成了图像聚焦.最后通过点目标仿真验证了该算法的有效性.

    ARCSARFMCW雷达雷达成像合成孔径雷达波数域

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    自适应灰狼算法优化的RSSI加权质心定位算法

    王磊杨王改云李林董建...
    196-202页
    查看更多>>摘要：无线传感器网络节点的定位过程中未知节点的邻居锚节点数量会严重影响定位精度.为解决该问题,提出一种自适应灰狼算法优化的RSSI加权质心定位(AD-GWO-RSSI)算法.该算法首先根据传感器网络的连通关系,计算出所有未知节点的平均锚节点数量和每个未知节点的邻居锚节点数量,然后取两者的平均值作为GWO算法优化每个未知节点RSSI加权质心定位过程的阈值,最后将优化后的高精度定位节点作为伪锚节点对其他未知节点进行定位.实验结果表明,通过邻居锚节点数量关系获得自适应阈值的GWO算法去优化RSSI加权质心定位算法,不仅能达到较高的定位精度,还具有较强的泛化性和稳定性.

    锚节点GWORSSI定位精度加权质心定位

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    具有高击穿电压和低关断态电流的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

    马旺陈永和刘子玉杨叶...
    203-209页
    查看更多>>摘要：为了能够完全发挥GaN基器件的优势,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压值,通过在传统AlGaN/GaN HEMT的栅极和漏极之间加入一层Al组份为0～0.25线性渐变的AlGaN极化诱导层(PIL),形成Al极化梯度,进而诱导出三维空穴气(3DHG).3DHG可起到辅助HEMT沟道耗尽的作用,其通过电荷的电场调制抬高了沟道处的整体电场值,使得栅漏之间的沟道电场分布更加均匀.使用Sentaurus TCAD对AlGaN/GaN HEMT器件进行仿真实验,并对物理模型参数进行校正.仿真结果表明,Al组份极化梯度越大,3DHG浓度峰值越大,最大浓度为1.05×1018 cm-3,且 3DHG浓度与PIL-HEMT击穿电压正相关;PIL-HEMT的电学特性得到了提高,击穿电压由常规AlGaN/GaN HEMT器件的66.7 V提高到975 V,有效长度平均耐压提高到162.5 V·µm-1,比导通电阻Ron,sp=1.09 mΩ·cm2,相较于常规HEMT的比导通电阻增大了 0.36 mΩ·cm2;FOM为1.23 GW·cm-2,且在饱和电流(0.23 A·mm-1)不变的前提下使关断电流从常规的1.6×10-7 A·mm-1减小到6.2×108 A·mm-1,降低了 PIL-HEMT的静态功耗.

    AlGaN/GaNHEMT线性梯度AlGaN3维空穴气击穿电压

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    广义延拓外推多普勒的改进周跳探测方法

    戴远流符强
    210-215页
    查看更多>>摘要：针对多普勒积分法和多项式拟合法在周跳探测与修复时受观测误差和采样率的影响,无法准确地探测出周跳的大小,提出一种广义延拓外推多普勒的改进周跳探测方法.该方法通过挖掘最新多普勒数据的先验信息以及最新数据的影响力,利用广义延拓外推模型获得稳定且精度高的多普勒外推值,进而利用高精度的多普勒外推值与载波相位进行周跳探测,最后通过一次差的方式得到探测值.对实测数据进行周跳探测,结果表明,广义延拓外推多普勒的改进周跳探测方法能够准确探测1周及1周以上的周跳,性能优于多普勒积分法以及多项式拟合法.

    多普勒广义延拓外推多项式拟合观测误差周跳探测

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    基于超材料的宽带红外吸波器

    王淦王娇
    216-220页
    查看更多>>摘要：为了解决红外领域对高性能吸波器的需求问题,设计了一种基于超材料的宽带红外吸波器.此吸波器在"金属-介质-金属"三层结构基础上,通过设计印刷在介质基板上层的金属图案,实现了红外(10.0～12.7 THz)频段范围的宽带吸收,吸收率在90％以上的相对带宽达到了 23％.分析了吸波器不同尺寸参数对吸收率的影响,并通过S参数反演法得到了吸波器的等效介电常数和等效磁导率,同时采用等效媒质理论、干涉相消理论分析了吸波器的吸波机理.此外,设计的吸波器还具备极化不敏感、高吸收率、剖面低的优点,并在一定入射角范围内保持稳定的工作带宽.

    吸波器超材料宽带红外极化不敏感

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