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期刊信息/Journal information
桂林电子科技大学学报
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学学报

桂林电子科技大学

郑继禹

双月刊

1673-808X

jgiet@guet.edu.cn

0773-2291014 2290812

541004

广西桂林市金鸡路1号

桂林电子科技大学学报/Journal Journal of Guilin University of Electronic TechnologyCSTPCD
查看更多>>《桂林电子科技大学学报》是桂林电子科技大学主管主办的以反映自然科学研究成果为主的综合性学术期刊。主要刊载信息与通信工程、信号与信息处理、计算机应用技术、仪器科学与技术、控制理论与控制工程、机械设计制造及其自动化、管理科学与工程、电磁场与微波技术、机械电子工程、工业艺术设计、材料加工工程、信息与计算科学、应用数学、工商管理等方面的学术论文。读者对象为相关专业的科研人员、工程技术人员及高等院校师生。继承：《桂林电子工业学院学报》
正式出版
收录年代

    Cr3+掺杂对Mn3O4结构、形貌以及磁电性能的影响

    崔梦范王松伟张鑫杨瑞鑫...
    292-298页
    查看更多>>摘要：为了探究Cr3+掺杂对Mn3O4体系磁电效应的影响,采用传统固相法成功制备了 Mn3O4及Mn1.8Cr1.2O4的单相多晶样品.X射线衍射及精修结果表明,掺杂前后存在晶体结构的改变,由四方晶系转变为立方晶系,其空间群由I41/amd变为Fd(3)m.场发射扫描电镜结果显示,掺杂前样品的晶粒呈紧密的镶嵌结构,掺杂后样品呈离散的五面体及八面体形貌,且尺寸约是掺杂前的1/8.磁性研究结果表明,掺杂前、后样品Yafet-Kittel型亚铁磁相变温度由43 K提高到60 K,这源自Cr3+掺杂使Mn3+(Cr3+)/Mn2+—O键长缩短,Mn3+(Cr3+)—O—Mn3+(Cr3+)键角增大,磁相互作用增强.此外,掺杂后矫顽力显著降低,这可根据离散的晶粒间作用力减小来理解.介电效应研究发现,掺杂前、后样品在磁相变点附近存在不随频率移动的介电异常峰,表明该体系存在与磁序相关的铁电极化,这源自体系的非线性磁结构.

    固相法Cr3+掺杂磁性测量介电测量磁电耦合

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    • 万方数据

    Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22 Y-type六角铁氧体的制备及磁性能

    高熠斌王松伟张鑫杨瑞鑫...
    299-303页
    查看更多>>摘要：针对Y型六角铁氧体Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22单相多晶样品的固相法制备工艺及磁性能进行研究.通过粉末X射线衍射表征Y型六角铁氧体Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22单相多晶样品的物相及晶体结构,实验结果表明,当烧结温度为1 120～1 160 ℃,有M相产生,随着温度升高,M相的衍射峰逐渐减小;当烧结温度达到约1 170 ℃时,得到Y型六角铁氧体Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22的单相.通过扫描电子显微镜及能谱研究样品的微观结构、形貌及成分,统计结果表明,Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22铁氧体呈现拉长的六角形形貌,平均晶粒尺寸约3 μm,同时还存在小的颗粒,且2种形貌的成分相同.利用综合物性测量系统对样品的磁特性进行表征,发现在330 K和90 K温度附近存在2种磁性异常,分析表明,330 K附近的磁性异常对应锥形磁结构相变,90 K附近的磁性异常对应自旋玻璃相变.Y型六角铁氧体Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22锥形磁相变的磁有序温度高于室温,为室温下磁电耦合提供可能.

    Y型六角铁氧体固相法磁性能磁相变

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    • 万方数据

    外电场下单层InSe电子结构的第一性原理计算

    刘赵一周刚王智敏赵维乐...
    304-309页
    查看更多>>摘要：由于具有大的塞贝克系数和电导率,单层InSe具有优异的热电性能.采用第一性原理计算方法系统地研究了外电场作用下单层InSe的结构、电子结构和电荷转移.研究结果表明,当电场强度在0～0.6V/Å时,费米能级附近的导带和价带对外电场的作用不敏感,且带隙几乎不随外电场变化.主要是因为施加外电场后,上、下Se-In原子层周围的自由电子发生了转移,使得单层InSe对外电场有屏蔽作用;在屏蔽效应下,单层InSe的结构及其内部化学键受到外电场的影响较小,使得单层InSe的能带对外电场作用不敏感.本研究可为二维材料电子结构和物性的外电场调控机制提供一定的理论参考.

    InSe单层InSe外电场电子结构第一性原理

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    • 万方数据
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    基于多场耦合联合仿真稀土电解机械手的优化

    孙明明唐焱梁冰邵留宝...
    310-315页
    查看更多>>摘要：针对稀土熔盐电解生产中高温熔融金属提取技术存在的问题,设计了一种提锅式机械手,运用仿真软件分析机械手提取坩埚时的受力和形变.在SolidWorks环境下构建机械手仿真模型,对通讯接口作兼容处理,导入COMSOL Multi-physics 软件;依据镨钕合金生产工艺规程确定试验边界;以力矩电机驱动螺母移动的距离为控制量,在满足机械手提取坩埚的应力和形变的前提下,对机械手提取坩埚过程进行联合仿真,获取合适机械手夹持杆尺寸.仿真结果表明,当机械手夹持杆直径为22 mm,满足需用夹持力时,最大应力约为9×107 N·m-2,夹持杆下部高温形变约为4.7 mm;夹持爪与坩埚接触无形变时,夹持杆与高温熔液液面接触处的形变约为5.2 mm,其中高温形变约为2.5 mm,横向力形变约为2.7 mm,夹持杆与连接杆连接处的形变约为7.75 mm,机械手设计参数满足工作要求.

    稀土氧化物电解还原联合仿真机械手优化设计

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    厚度对Cu/HfO2/ITO器件阻变特性的影响

    李琳琳何木芬吴枚霞马垒...
    316-322页
    查看更多>>摘要：采用直流磁控溅射方法,通过调节溅射时间研究二氧化铪(HfO2)功能层的厚度对Cu/HfO2/ITO器件阻变性能的影响.利用X射线衍射技术测试了所制备的HfO2薄膜的晶体结构,实验结果表明,随着厚度的增加,HfO2薄膜的衍射峰的强度增加.利用X射线光电子能谱对12 nm厚的HfO2薄膜进行了成分和价态分析,证实所制备的HfO2薄膜中的Hf为+4价.通过对Cu/HfO2/ITO器件进行I-V特性测试,发现3种功能层厚度不同的Cu/HfO2/ITO器件都属于双极转变,且都需无进行初始化操作;对Cu/HfO2/ITO器件进行循环耐受性测试,器件经过60次循环后仍能保持良好的开关特性;对Cu/HfO2/ITO器件的稳定性进行分析,随着厚度的增加,RHRS与RLRS的离散系数增加,器件的稳定性降低,功能层厚度约为12 nm的Cu/HfO2/ITO器件稳定性最佳.对功能层厚度约为12 nm的Cu/HfO2/ITO器件的I-V曲线进行双对数拟合,拟合结果表明,器件在低电阻状态(LRS)时符合欧姆传导机制,在高电阻状态(HRS)时符合空间电荷限制电流传导机制.通过设置功能层厚度约为12 nm的Cu/HfO2/ITO器件的SET限制电流,表明器件具有多值存储的应用潜力.研究结果表明,通过调整功能层HfO2厚度有利于提高Cu/HfO2/ITO的阻变性能.

    二氧化铪薄膜薄膜厚度阻变特性磁控溅射传导机制

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    GaAs基底上制备圆孔阵列光栅及其影响因素研究

    石铸全保刚阚强胡放荣...
    323-330页
    查看更多>>摘要：为解决半导体激光器的偏振问题,提出了一种利用泰尔博特位移光刻曝光技术在GaAs衬底上制作周期光栅的方法,并系统研究了工艺参数和抗反射层对制备的周期光栅质量的影响.利用二次光刻工艺和反应离子蚀刻工艺在GaAs衬底上制备圆孔阵列周期光栅;通过电感耦合等离子体蚀刻设备制造均匀光栅.实验结果表明,该工艺流程可制备深度为20～150 nm的动态可调圆孔阵列周期光栅;当曝光剂量为30 mJ·cm-2,曝光光强度为2 mW·cm-2,显影时间为1 min时,所曝光出的周期光栅符合实验要求;重复实验证明了利用泰尔伯特位移光刻技术制备光栅工艺的可行性及稳定性.

    泰尔伯特位移光刻曝光技术光栅反应离子蚀刻电感耦合等离子蚀刻半导体激光器

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