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期刊信息/Journal information
微电子学
微电子学

成福康

双月刊

1004-3365

wdzx@sisc.com.cn

023-62834360

400060

重庆市南坪花园路14号24所

微电子学/Journal MicroelectronicsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
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    一种具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的1 200 V/20 A SiC MPS

    易波徐艺马克强王思亮...
    141-144页
    查看更多>>摘要：通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片.在25 ℃和175 ℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特基界面的最强电场强度仅为1.25 MV/cm.研制的MPS的泄漏电流仅为4.3 μA(@25 ℃)和13.7 μA(@175 ℃).并且25 ℃和150 ℃下测试的浪涌电流高达258 A和252 A,约为额定电流的13倍.

    SiCMPS泄漏电流高温漏电浪涌电流能力

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    一种双靶磁控溅射制备的Mg掺杂的NiO薄膜

    王新丛凡超罗明海
    145-148页
    查看更多>>摘要：采用磁控溅射"共溅射"方法,将Ar气作为溅射气体,高纯NiO和MgO双陶瓷靶作为溅射靶材.当控制NiO和MgO靶的溅射功率分别为190 W和580 W,溅射真空度为2 Pa,衬底温度为300 ℃时,得到了 Mg掺杂的NiO(Ni0.61Mg0.39O)薄膜.该薄膜是一种具有(200)择优取向的晶态薄膜.薄膜表面比较平整,晶粒分布致密,晶粒尺寸约46.9 nm.(200)衍射峰位置相对未掺杂的NiO薄膜向小角度偏移约0.2°.合金薄膜在可见光波段具有较大的透过率,而在300 nm附近透过率陡然下降,其光学带隙向高能方向移动到了 3.95 eV.该研究为采用磁控溅射制备高质量的Mg掺杂的NiO薄膜提供了技术支撑.

    磁控溅射共溅射Mg掺杂的NiO薄膜带隙

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    一种基于机器学习的众工艺角延迟预测方法

    郭静静宁雪洁蔡志匡
    149-155页
    查看更多>>摘要：在不同工艺角下,关键路径呈现显著差异,因此需要进行大量的静态时序分析,从而导致时序分析运行时间较长.与此同时,随着工艺尺寸的缩小,静态时序分析的精度问题变得不容忽视.本文提出一种基于机器学习的适用于众工艺角下的延迟预测方法,考虑工艺、电压和温度对时序的影响,利用基于自注意力Transformer模型对关键路径进行全局聚合编码,预测众工艺角下关键路径的统计延迟.在EPFL基准电路下进行验证,结果表明该方法的平均绝对误差范围为5.8％～9.4％,有良好的预测性能,可以提高时序分析的准确度和效率,进而缩短数字电路设计周期和设计成本.

    统计静态时序分析众工艺角机器学习延迟预测

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    一种针对Virtex-7加密位流的侧信道分析方法

    雷婉刘丹王立辉李清...
    156-164页
    查看更多>>摘要：随着FPGA在商业、国防等领域的广泛应用,出现了很多针对FPGA的攻击方法,电路安全性面临着极大挑战.为了进一步研究FPGA的安全机制,文章介绍了 一种新的侧信道分析(SCA)方法,并首次在Xilinx Virtex-7芯片上分析了加密位流在加载过程中存在的安全漏洞.相比之前的攻击目标,Virtex-7芯片规模更大,采集的信号信噪比更低,攻击难度更大.之前的研究使用的是SASEBO或SAKURA这类专为SCA设计的测试板,而该文的分析是第一个在Xilinx官方评估板上进行的实例,由于官方评估板不是针对侧信道信号采集设计的电路板,因此需要经过处理才能获得足够的信噪比.使用电磁辐射作为侧信道测量值,在80万条电磁曲线内就能够获得一组密钥.通过密钥解密,得到明文位流,攻击者就能够对FPGA进行逆向分析、克隆等操作,从而影响FPGA的安全.

    加密位流电磁侧信道分析XilinxVirtex-7

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    倒装焊芯片封装微通孔的一种失效机理及其优化方法

    陈朝晖张弛徐鹏曾维...
    165-170页
    查看更多>>摘要：随着晶圆工艺节点的发展,封装集成度越来越高,封装有机基板的线宽和线距逐步减少,微通孔的数量增加,微通孔的孔径减少.球栅阵列(BGA)封装有机基板的微通孔失效一直是影响高性能和高密度芯片封装可靠性的主要问题.针对有机基板微通孔失效的问题,通过温度循环可靠性试验、有限元分析方法、聚焦离子束、扫描电子显微镜以及能谱仪等表征手段,系统研究了-65 ℃～150 ℃与-55℃～125 ℃ 500次温度循环加载条件下倒装焊的失效模式.结果表明,在-65 ℃～150 ℃温度循环条件下,有机基板微通孔由温度循环疲劳应力而产生微通孔分层,仿真表明-65 ℃～150 ℃下基板平均等效应力增加约8 MPa;通过改善散热盖结构,等效应力降低了21.4％,且能通过-65 ℃～150 ℃ 500次温度循环的可靠性验证,满足高可靠性的要求.

    倒装焊封装可靠性有机基板温度循环有限元分析

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