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期刊信息/Journal information
武汉大学学报（理学版）
武汉大学学报（理学版）

邓子新

双月刊

1671-8836

whdz@whu.edu.cn

027-68756952

430072

湖北武昌珞珈山武汉大学梅园一舍

武汉大学学报（理学版）/Journal Journal of Wuhan University(Natural Science Edition)CSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊创刊于1930年，当时刊名为《国立武汉大学理科季刊》，1949年停刊；1956年复刊，刊名为《武汉大学自然科学学报》，1966年停刊；1974年再次复刊，刊名为《武汉大学学报（自然科学版）》，2001年改刊名为《武汉大学学报（理学版）》，1993年由季刊改为双月刊。本刊为自然科学综合性学术期刊，主要刊登数学、计算机科学、物理学、空间物理学、化学、环境科学、生命科学等学科的最新研究成果。
正式出版
收录年代

    缺陷对脉冲电压下介电材料真空沿面绝缘性能的影响

    周亚伟呼义翔杨实何德雨...
    756-762页
    查看更多>>摘要：利用正电子湮没寿命谱技术研究了缺陷对脉冲电压下介电材料真空沿面绝缘性能的影响.基于晨光号加速器开展了四种介电材料真空沿面耐压考核实验,分析了四种材料的真空沿面绝缘性能.研究结果表明,正电子湮没平均寿命越长,介电材料的真空沿面耐压性能越差.利用正电子湮没平均寿命量化了材料中的缺陷信息.分析认为,缺陷的存在引起材料介电常数突变,同时缺陷易于捕获自由载流子,加剧材料表面电荷集聚,导致材料真空沿面局部电场畸变,造成介电材料真空沿面绝缘失效.

    正电子湮没寿命缺陷电荷集聚沿面闪络脉冲电压介电材料

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    背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究

    张梦蝶季雯曹茹月姜俊松...
    763-768页
    查看更多>>摘要：通过实验表征和理论计算为氮化镓功率器件中的材料缺陷和背栅效应之间提供了物理联系.首先制备了硅基氮化镓高电子迁移率晶体管;然后采用电流瞬态方法研究了器件中背栅效应下的缺陷能级,基于时间常数谱和阿伦尼乌斯定律分析,确定了三种主要的电子缺陷能级,分别为0.169、0.240和0.405 eV;最后,利用第一性原理计算研究了缺陷的可能结构.

    背栅效应电流瞬态方法缺陷能级第一性原理计算

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    磁场与偏置场对涡旋畴壁振荡模式的调控

    甘凌霄卢志红张振华肖杨...
    769-774页
    查看更多>>摘要：纳米结构中的畴壁振荡行为在微波纳米振荡器中具有很好的应用前景.采用微磁学方法,对纳米带结构中涡旋畴壁在不同磁场驱动下涡旋畴壁振荡模式进行了研究,探究了同一磁场不同的偏置场下对涡旋畴壁振荡模式的影响.研究结果表明:在不同的外加磁场下,涡旋畴壁的旋性会由一个旋性稳定不变的涡旋转变为涡旋和反涡旋交替出现,再转变为旋性发生改变的稳定涡旋.随着外磁场磁强度的增大,涡旋的振荡频率先增加后减小再增加;在同一外加磁场下,偏置场可以调控涡旋的旋性,改变偏置场大小可以将一个涡旋畴壁在旋性稳定不变的模式、涡旋和反涡旋交替出现的模式以及旋性发生改变的模式之间来回切换.涡旋畴壁的振荡频率随偏置场的变化趋势与随外加磁场的变化趋势一致.本研究为基于畴壁的新型纳米振荡器的振荡模式多途径调控提供了新思路.

    涡旋畴壁旋性振荡频率微磁模拟偏置场

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    总目次

    后插1-后插10页
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