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期刊信息/Journal information
稀有金属
稀有金属

屠海令

双月刊

0258-7076

xxsf@grinm.com

010-82241917

100088

北京新街口外大街2号

稀有金属/Journal Chinese Journal of Rare MetalsCSCD北大核心CSTPCDEI
查看更多>>本刊是以稀有金属材料研究、开发和冶炼为特色的大型综合性双月刊，由国家有色金属工业局主办，北京有色金属研究总院承办。是中文核心期刊，主要报道稀有金属、贵金属、稀土金属及镍、钴等有色金属在材料研制、合金加工、选矿、冶炼、理化分析测试等方面的最新科研成果及应用，同时还报道超导材料、半导体材料、复合材料、陶瓷材料、纳米材料、磁性材料等新材料的研究开发及应用。在稀有金属领域享有较高的学术水平和权威性。
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收录年代

    高熵合金纳米电催化剂的合成

    薛天雨黄仲谷昊辉张海军...
    90-104页
    查看更多>>摘要：相较于单金属和双金属催化剂，高熵合金(HEAs)催化剂因具有多种活性位点而表现出优异的协同效应和催化活性，当其粒径细化至纳米尺度时，纳米尺寸效应与多元活性位点赋予了高熵合金纳米颗粒(np-HEAs)催化剂较低的过电位，近年来在电化学领域逐渐成为研究热点。目前，np-HEAs催化剂的合成方法有脱合金法、热冲击法、低温液相共还原法、机械合金法、激光烧蚀法及溅射沉积法等。综述了近年来np-HEAs催化剂合成的研究现状，总结了提高其催化活性的策略及措施，并展望了 np-HEAs催化剂的未来发展方向。

    高熵合金(HEAs)高熵合金纳米颗粒(np-HEAs)催化剂纳米尺寸效应

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    (Nd,Ce,La)-Fe-B快淬带研究进展

    贺有年郭朝晖靖征朱明刚...
    105-117页
    查看更多>>摘要：Nd-Fe-B永磁体需求的持续增长极大地加速了Nd，Pr，Dy和Tb等关键稀土元素的消耗，不仅导致这些低丰度稀土元素的价格上涨，而且还造成高丰度稀土Ce和La的大量积压。为了均衡高效利用稀土资源Ce和La，近年来，世界各国围绕(Nd，Ce，La)-Fe-B基永磁材料开展了大量研发工作，发现添加Ce，La或La-Ce的永磁体不仅可降低成本，而且在Ce含量20％～30％(原子分数)时或La及La-Ce含量约10％时，可能呈现出矫顽力反常增大，而在Ce和/或La含量低于50％时，磁体仍会具有令人满意的磁性能，显示出极为广阔的应用前景。目前，研究和开发高性价比的Ce，La或La-Ce掺杂(Nd，Ce，La)-Fe-B永磁材料已成为磁性材料热点之一。对Ce-Fe-B磁体的结构和本征磁性进行了介绍，然后对Ce-Fe-B快淬薄带的磁性、微观结构和相析出行为，(Nd，Ce)-Fe-B快淬带的矫顽力反常增大、元素偏析和相分离，以及La和La-Ce添加对(Nd，Ce，La)-Fe-B快淬带微观结构和磁性能等方面的最新研究进展进行了综述，最后对相关领域未来研究发展趋势进行了展望。

    Ce-Fe-B(Nd,Ce,La)-Fe-B熔体快淬带磁性能微结构

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    基于硅材料MOS量子点单自旋量子比特的研究与实现

    顾杰殷华湘吴振华张青竹...
    118-137页
    查看更多>>摘要：量子计算作为未来计算技术发展的一个重要方向，在一些特定领域具有现代计算机无可比拟的强大优势。基于硅材料的金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)量子点自旋量子比特由于拥有较长的相干时间以及与现代集成电路工艺兼容等优势，在近些年来获得了广泛研究，并取得了较大发展，成为了实现通用量子计算重要的候选方案之一。总结了硅MOS量子点单自旋量子比特实现方案，介绍了硅量子点量子计算的研究背景及意义，叙述目前硅MOS量子点单自旋量子比的研究进展，介绍了MOS量子点器件结构、量子点电荷输运理论、量子比特的读出、量子比特的操作、退相干的影响因素与抑制方法以及扩展与集成等方面的内容，最后讨论了硅MOS量子点自旋量子比特在实现通用量子计算方面面临的挑战与未来发展趋势。

    硅量子点量子比特量子计算自旋

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    氢含量对氢化锆相结构和残余应力的影响

    白伟王文科王智辉闫国庆...
    138-144页
    查看更多>>摘要：氢化锆是核反应堆理想的固体中子慢化剂，在制备过程中随着基体氢含量的增加，氢化物依次发生α→β→δ→ε的相转变，从而导致氢化锆基体中产生内应力，进一步导致氢化锆开裂。研究了氢化锆相组成、相结构和应力与氢含量的关系。采用X射线衍射(XRD)表征了样品的物相组成，H/Zr(原子比)为0。8时样品含α，γ，δ相，H/Zr为1。2和1。45时样品含γ和δ相，H/Zr为1。60和1。64时样品均只含δ相，H/Zr为1。85和1。90时样品均只含e相，结果表明氢化锆中氢含量与物相组成的对应关系基本符合样品Zr-H相图。对XRD结果进行精修分析，得到δ相(面心立方(fec))和e相(面心四方(fct))氢化物晶格常数与氢含量的关系为:随着氢含量的增加，δ相氢化锆晶格常数a逐渐变大，晶胞体积也逐渐变大;氢含量越大，e相氢化锆晶格常数a越大，c则越小，晶胞体积也更大。利用X射线衍射应力仪测量了样品表面残余应力，结果表明Zr-1Nb合金表面应力为压应力，大小为-163。7 MPa;氢化锆表面则为拉应力，结果表明:H/Zr为1。57时，表面应力是12。2 MPa;H/Zr为1。67时，表面应力是18。6 MPa;H/Zr为1。74时，表面应力是30。8 MPa;随着氢含量的增加，残余应力逐渐增大。

    锆合金残余应力氢化物晶格常数

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    电镀金刚线硅片切割废料杂质溯源及源头控制

    朱永泽杨时聪谢克强魏奎先...
    145-152页
    查看更多>>摘要：随着中国光伏产业快速发展，单晶硅片需求和产量逐年增加，金刚线硅片切割废料产量随之急剧增加，不仅导致高纯硅资源浪费，还造成严重生态环境问题。硅片切割过程中35％～40％的99。9999％的高纯硅(6N级)生成亚微米硅粉损失，且随着细线化、薄片化等金刚线硅片切割工艺的进步，废料杂质来源变得复杂和多样，增加提纯回收增值利用难度。为了降低回收难度，科学合理制定回收工艺路线、研发高效清洁回收技术以期获得易循环再生的高纯硅废料，进行杂质溯源研究明确其来源及渠道，以通过源头控制实现原料质量的稳定和提升对废料回收利用极为必要。结合单晶硅片切割工艺，基于典型原料分析结果，通过对切片过程相关辅料进行采样和分析，完成硅片切割废料中的杂质溯源研究，并提出了有效的源头控制措施，获得了高品质的原料。结果表明:Al杂质来源于有机添加剂和垫板，Fe和Ni杂质来源于金刚线，Ca杂质来源于工业用水和粘胶，Mg杂质来源于有机添加剂和工业用水，有机C来源于垫板和粘胶。源头控杂后得到的硅片切割废料中Al，Fe及Ca杂质含量大幅下降，分别为1。3×10-6，4。3×10-6和5。5×10-6。对硅片切割废料杂质源头控制提升原料品质和提高废料利用效率具有重要意义。

    硅片切割废料高纯硅回收杂质溯源源头控制

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    《稀有金属》征稿简则

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