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期刊信息/Journal information
原子与分子物理学报
四川大学;四川省物理学会;中国物理学会原子与分子物理专业委员会
原子与分子物理学报

四川大学;四川省物理学会;中国物理学会原子与分子物理专业委员会

李家明 赵伊君 陈向荣

双月刊

1000-0364

jamp@scu.edu.cn

028-85405516

610065

成都市一环路南一段24号

原子与分子物理学报/Journal Journal of Atomic and Molecular PhysicsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>> 《原子与分子物理学报》是该领域内全国唯一的专业性刊物,在整个东南亚也是唯一的。她是中国物理学会原子与分子物理专业委员会,四川省物理学会和四川大学联合主办的全国性学术刊物。其办刊宗旨: 主要反映我国原子与分子物理及其应用方面的科学研究成果, 促进这些方面的学术交流, 为加速实现四个现代化服务. 其主要内容: 报道国内外原子分子物理及其交叉学科领域的理论, 实验及应用等方面的研究成果(包括理论和实验), 发表研究论文, 快报及综合述评等三种类型的中文或英文学术论文. 所涉及的领域比较广泛, 包括: 原子分子结构和光谱, 原子分子碰撞, 电磁场中的原子分子, 生物分子, 团簇的结构、光谱及热力学性质, 原子分子及团簇的反应动力学, 材料表面的团簇和纳米结构, 富勒烯和碳团簇等; 同时还包括凝聚态物理, 激光物理, 等离子体物理, 光学, 化学物理, 非线性动力学及其它交叉学科领域的研究进展.
正式出版
收录年代

    基于BC3NT的混合系锂空气电池正极第一性原理研究

    王玉阳喻明富张添昱李洁...
    143-151页
    查看更多>>摘要:文章采用第一性原理,利用掺杂硼的碳纳米管(BC3NT)容易产生拓扑缺陷的特点,将其用作混合系锂空气电池正极材料,研究了BC3NT拓扑缺陷电子性质及氧分子吸附.结果 表明:BC3NT产生的拓扑缺陷使得氧气在纳米管外表面吸附更加稳定,且缺陷环越大,吸附越稳定.七元环缺陷、八元环缺陷分别会使氧气在纳米管外表面发生半解离吸附和完全解离吸附,有利于氧还原反应的发生;通过布居分析电荷转移进一步验证了缺陷环越大,转移电荷越多,吸附越稳定.BC3NT能增强对氧分子的解离吸附能力,有利于氧还原反应的进行.该材料适合用作混合系锂空气电池正极,有利于提高其性能.

    混合系锂空气电池BC3NT第一性原理氧吸附

    GGA+U方法研究不同浓度Cr掺杂对TiO2的磁性和光学性质的影响

    赵旭才王少霞刘晨曦潘多桥...
    152-160页
    查看更多>>摘要:本文采用基于第一性原理的GGA +U方法,计算研究了本征态锐钛矿TiO2和不同浓度Cr掺杂锐钛矿TiO2(1/8、1/16、1/32)的电子结构、磁性及光学性质.计算结果表明:所有掺杂体系中Ti0.9375Cr0.0625O2的结合能最小,因此Ti0.9375Cr0.0625 O2体系的稳定性要高于Ti0.875Cr0.125 O2、 Ti0.96875Cr0.03125O2体系;Cr元素的掺入导致掺杂后体系发生晶格畸变,这有利于光生空穴和电子对的分离,提高其光催化性能;同时,由于Cr-3d和O-2p电子相互作用,使得掺杂体系呈现出铁磁性质,并且随着掺杂浓度的增加会使体系具有更好的铁磁性质;掺杂体系与本征TiO2相比,掺杂后吸收带边均发生红移,光谱响应范围变大;并且随掺杂浓度的增加,光响应范围也在增大,从而有效增强了体系对于可见光的吸收能力.

    第一性原理锐钛矿电子结构磁性光学性质

    Fe,Ag掺杂单层MoSe2光电性质的第一性原理计算

    徐中辉刘川川陈圳袁秋明...
    161-165页
    查看更多>>摘要:本文基于第一性原理分别计算了Fe,Ag掺杂对单层MoSe2电子结构和光电效应的影响,结果表明:与本征单层MoSe2相比,Fe,Ag掺杂体系的能带更加密集,且费米能级附近均出现了较多杂质能带;通过对分波态密度进行分析,发现其分别是由Fe-3d、Se-4p轨道和Se-4p、Mo-4d轨道所贡献.在近乎整个可见光范围内,Fe,Ag掺杂有效加强了单层MoSe2的光响应能力,其中Ag掺杂效果最好;这可以归结于掺杂显著改变了单层MoSe2费米能级附近的能带结构.即掺杂进一步减小了体系的带隙,更有利于电子跃迁,进而产生较大的光响应.研究结果可为单层MoSe2在光电器件的实际应用提供一定的理论参考.

    MoSe2掺杂电子结构光电效应第一性原理

    La-Ce共掺杂锐钛矿TiO2的缺陷形成能和电子结构分析

    谭敏方志杰王栋张金省...
    166-172页
    查看更多>>摘要:采用基于密度泛函的第一性原理研究了稀土元素La、Ce共掺杂锐钛矿相TiO2的缺陷形成能,缺陷电荷转变能级以及电子结构.研究发现,富氧状态下La、Ce掺杂以及La-Ce共掺的缺陷形成能均为负值,而贫氧状态下La、Ce掺杂形成能为正,表明La、Ce的掺杂TiO2只能在氧气氛制备条件下进行;替代Ti掺杂缺陷电荷转变能级计算结果表明:0/1-的缺陷电荷转变能级分别位于VBM上面0.522 eV及2.440 eV处;与纯锐钛矿相TiO2相比,La、Ce单掺杂以及La-Ce共掺杂均能减小TiO2的禁带宽度,但共掺杂体系的禁带宽度更窄,因此共掺杂体系将更有利于提高TiO2对可见光的响应能力和光催化性能.

    TiO2稀土元素共掺杂第一性原理缺陷形成能转变能级

    《原子与分子物理学报》征稿简则

    封3页