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Fe,Ag掺杂单层MoSe2光电性质的第一性原理计算

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本文基于第一性原理分别计算了Fe,Ag掺杂对单层MoSe2电子结构和光电效应的影响,结果表明:与本征单层MoSe2相比,Fe,Ag掺杂体系的能带更加密集,且费米能级附近均出现了较多杂质能带;通过对分波态密度进行分析,发现其分别是由Fe-3d、Se-4p轨道和Se-4p、Mo-4d轨道所贡献.在近乎整个可见光范围内,Fe,Ag掺杂有效加强了单层MoSe2的光响应能力,其中Ag掺杂效果最好;这可以归结于掺杂显著改变了单层MoSe2费米能级附近的能带结构.即掺杂进一步减小了体系的带隙,更有利于电子跃迁,进而产生较大的光响应.研究结果可为单层MoSe2在光电器件的实际应用提供一定的理论参考.
Photoelectric properties in Fe,Ag-doped monolayer MoSe2 from first-principles calculations

徐中辉、刘川川、陈圳、袁秋明

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江西理工大学信息工程学院,赣州341000

MoSe2 掺杂 电子结构 光电效应 第一性原理

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118640142020YFB17137003203304666赣市科发[2019]60-43

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.036007

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(3)
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