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期刊信息/Journal information
原子与分子物理学报
四川大学；四川省物理学会；中国物理学会原子与分子物理专业委员会
原子与分子物理学报

四川大学；四川省物理学会；中国物理学会原子与分子物理专业委员会

李家明 赵伊君 陈向荣

双月刊

1000-0364

jamp@scu.edu.cn

028-85405516

610065

成都市一环路南一段24号

原子与分子物理学报/Journal Journal of Atomic and Molecular PhysicsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>> 《原子与分子物理学报》是该领域内全国唯一的专业性刊物，在整个东南亚也是唯一的。她是中国物理学会原子与分子物理专业委员会,四川省物理学会和四川大学联合主办的全国性学术刊物。其办刊宗旨: 主要反映我国原子与分子物理及其应用方面的科学研究成果, 促进这些方面的学术交流, 为加速实现四个现代化服务. 其主要内容: 报道国内外原子分子物理及其交叉学科领域的理论, 实验及应用等方面的研究成果(包括理论和实验), 发表研究论文, 快报及综合述评等三种类型的中文或英文学术论文. 所涉及的领域比较广泛, 包括: 原子分子结构和光谱, 原子分子碰撞, 电磁场中的原子分子, 生物分子, 团簇的结构、光谱及热力学性质, 原子分子及团簇的反应动力学, 材料表面的团簇和纳米结构, 富勒烯和碳团簇等; 同时还包括凝聚态物理, 激光物理, 等离子体物理, 光学, 化学物理, 非线性动力学及其它交叉学科领域的研究进展.
正式出版
收录年代

    面向燃料电池双极板的不锈钢表相掺杂耐蚀性高通量计算与分析

    张浩明张頔徐竹田彭林法...
    152-162页
    查看更多>>摘要：通过基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理高通量计算，筛选了可以提高不锈钢双极板钝化层在PEMFCs工作环境中的耐蚀性的掺杂元素。基于Cr2O3的(10 12)切面构建计算模型，对其进行了 48种元素的掺杂替换，考虑228种掺杂构型。根据掺杂结构和位移能量、掺杂元素被分为4类，并采用不同的吸附、空位计算方案。根据不同掺杂类型采用不同的吸附、空位计算方案，计算了每种掺杂元素对功函数、F的吸附能和Cr/O的空位形成能的影响。计算结果显示，C、N、In、Ru对于不锈钢钝化层的各项耐蚀性参数提升效果较好;Au、Rh、Pt、Ir、Co、Ni也能较好地提升耐蚀性，但是存在成本高或者危害质子膜的问题;Ag、Cu、Sn、Ge可以抑制空位形成和F吸附，但会造成功函数下降;Zn可以提高功函数并抑制F吸附。此外，对于电子态密度的计算表明，掺杂原子与Cr原子形成的稳定键合是耐蚀性参数提升的重要因素。

    高通量计算不锈钢双极板耐蚀性第一性原理计算

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    掺杂对2H-MoTe2光电特性影响的第一性原理研究

    徐中辉赵书亮王利峰刘川川...
    163-169页
    查看更多>>摘要：MoTe2是一种非空间反演对称性半导体，由线性偏振光照射，在无偏压条件下可以直接产生光电流，但是非常微弱。掺杂可以改变电子能带结构和降低空间反演对称性，从而有效的增强光电流。本文基于非平衡格林函数-密度泛函理论，采用第一性原理，计算了本征、Nb掺杂、Ti掺杂和W掺杂2H-MoTe2的能带结构、透射谱和光电流。能带结构表明:Nb掺杂使半导体2H-MoTe2能带穿越费米能级，转变为金属特性;Ti和W掺杂减小了 2H-MoTe2的带隙，能带没有穿越费米能级，依然为半导体。掺杂都降低2H-MoTe2的反演对称对称性，从本征的D3h转变为Cs。从而在线偏振光的照射下可以有效的提高2H-MoTe2的光电流。同时，发现掺杂可以提高单层2H-MoTe2在低光子能量下的消光比，如Nb和Ti掺杂单层2H-MoTe2分别在光子能量1。1 eV和1。2 eV处取得39。48和28。48的高消光比。这些结果表明掺杂可以有效增强单层2H-MoTe2的光电流和消光比，可以应用于指导2H-MoTe2在光电器件的设计，特别是在红外光探测领域增添了许多可能。

    2H-MoTe2光电效应掺杂第一性原理光电探测器

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    有源区掺杂的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

    尹孟爽张傲翔张鹏飞贾李亚...
    170-175页
    查看更多>>摘要：为了改善深紫外激光二极管的性能，本文提出了有源区量子势垒n掺杂、p掺杂和n-p掺杂三种结构。利用Crosslight软件，对原始结构和有源区掺杂的三种结构进行仿真研究，比较四种结构的P-I特性曲线、V-I特性曲线、载流子浓度、辐射复合速率和能带图。仿真结果表明，有源区量子势垒n-p掺杂结构的性能更优，其阈值电压和阈值电流分别为4。40V和23。8 mA;辐射复合速率达到1。64×1028cm-3/s;同一注入电流下电光转换效率达到42。1％，比原始结构增加了 3。9％;改善了深紫外激光二极管的工作性能。

    AlGaN有源区量子势垒掺杂深紫外激光二极管

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    CH4水合物在SDS和CTAB溶液中的生成特性研究

    赵婷婷刘远超狄子淳关斌...
    176-181页
    查看更多>>摘要：为探究不同促进剂在甲烷水合物生成过程的微观作用机理，选取动力学促进剂十二烷基硫酸钠(SDS)和热力学促进剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为添加剂，采用分子动力学方法研究其对甲烷水合物生成速率的影响。通过分析势能变化、均方位移、径向分布函数、分子簇生长速率，发现质量分数为0。9％SDS、1。2％SDS、1。2％CTAB、1。6％CTAB的溶液均可促进水合物生成。质量分数为1。2％的SDS溶液水合物生长速率最快，且SDS促进效果优于CTAB。通过分析甲烷分子密度分布云图，发现呈阴性的SDS分子头部基团吸附了大量甲烷分子，水分子受挤压向中间聚集;CTAB含氮的头部基团朝向均相溶液，包含在不稳定的水合物笼中，形成半笼型水合物。相比之下，CTAB溶液中水合物含气率更高。

    分子动力学模拟甲烷水合物生成速率SDSCTAB

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    第一性原理计算Mo浓度对Mo掺杂BiVO4光催化性能的影响

    苟杰熊明姚张志远吴征成...
    182-188页
    查看更多>>摘要：本文利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了不同浓度的Mo掺杂BiVO4的V位的电子结构、光学性质和光催化性能。缺陷形成能的计算结果说明BiMoxV1-xO4(x=0。0625，0。125，0。25)三种掺杂体系都是可以稳定存在的。电子结构计算结果表明:BiMoxV1-xO4(x=0，0。0625，0。125，0。25)四种体系的带隙分别为2。123 eV，2。142 eV，2。160 eV和2。213 eV。掺杂BiVO4体系的带隙值均大于本征BiVO4，且带隙随着Mo浓度的增加而增大。BiMoxV1-xO4(x=0。0625，0。125，0。25)三种掺杂体系的能带结构全部向低能量区域移动，导致掺杂体系导带底越过费米能级，Mo掺杂BiVO4后具有n型半导体特性。光学性质计算结果表明，本征BiVO4和BiMoxV1-xO4(x=0。0625，0。125，0。25)三种掺杂体系的介电常数分别为3。08，3。90，12。7和17。50，掺杂后的静介电常数都呈现增大的趋势。对于反射系数和介电函数虚部而言，掺杂BiVO4体系在低能量区域内提升明显。对于吸收系数而言，在掺杂的三种体系中，Mo掺杂BiVO4体系的光吸收系数对红外光的吸收提升明显。光催化性能计算结果表明，本征BiVO4氧化H2O生成O2的能力最弱，BiMo0。25 V0。75 O4氧化H2O生成O2的能力最强。

    BiVO4第一性原理掺杂光催化性能

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    《原子与分子物理学报》征稿简则

    封3页
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