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W波段三路合成GaN功率放大器MMIC

W-Band GaN Power Amplifier MMIC Using Three-Way Combination Technology

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基于GaNHEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC.利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC.该芯片的制作采用了 0.1 μm T型栅GaN HEMT技术,衬底为50 μm厚的SiC.芯片为三级级联拓扑结构,采用高低阻抗传输线、介质电容等进行匹配和偏置电路设计,实现低损耗输出,芯片尺寸为3.37 mm×3.53 mm×0.05 mm.测试结果表明,在漏源工作电压15 V、88～92 GHz频率范围内,该MMIC的线性增益大于15 dB,饱和输出功率大于3W.该MMIC具有功率大、输入输出回波损耗小及应用范围广的优势.

刘如青、张力江、魏碧华、何健

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中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051

成都天箭科技股份有限公司,成都 610041

W波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 功率放大器 耦合器 单片微波集成电路(MMIC)

2021

10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.07.005

半导体技术
中国电子科技集团公司第十三研究所

半导体技术

CSTPCD北大核心
影响因子：0.232
ISSN：1003-353X
年,卷(期)：2021.46(7)
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