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半导体技术
半导体技术

赵小宁

月刊

1003-353X

bdtj1339@163.com

0311-87091339

050002

石家庄179信箱46分箱

半导体技术/Journal Semiconductor TechnologyCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版) 全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊,河北省优秀期刊。《半导体技术》的稿源及读者对象主要是全国各研究机构、大专院校和企事业单位等。
正式出版
收录年代

    集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展

    武峥牛新环何潮董常鑫...
    1-9页
    查看更多>>摘要：在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现.将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能.介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了国内外多试剂协同中两种缓蚀剂、表面活性剂与缓蚀剂、两种表面活性剂的复配协同在集成电路CMP金属腐蚀抑制应用中的研究进展,并延伸到碳钢金属等防腐领域,最后对CMP领域中多试剂协同抑制的发展进行了展望.

    缓蚀剂表面活性剂化学机械抛光(CMP)协同作用金属腐蚀抑制

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    基于石墨烯/硫化铅量子点异质结的窄带光电探测器

    郑玉琳黄北举程传同陈力颖...
    10-16页
    查看更多>>摘要：纳米材料硫化铅量子点(PbS QD)以其高光吸收率和尺寸可调的带隙,被视为短波红外(SWIR)光电探测器的重要候选材料.将卤素配体置换的PbS QD薄膜与单层石墨烯结合制备了石墨烯/硫化铅量子点异质结光电探测器.采用液相配体交换技术结合单步旋涂工艺,实现了 PbS QD薄膜的均匀沉积.该技术不仅减少了缺陷态的产生,而且通过单步旋涂工艺能够实现所需薄膜厚度的快速沉积,简化了器件制备流程,满足工业化生产要求.测试了器件在SWIR波段的性能,结果显示该光电探测器在1 550 nm处响应度为1.26X104 A/W,显著高于其他波段,证实器件在1 550 nm波段附近具有窄带探测的能力.此外,在1 550 nm处比探测率高达1.49×1012 Jones.该结果表明器件在SWIR波段具备高探测灵敏度和实际应用的潜力.

    相转移配体交换硫化铅量子点石墨烯光电探测器红外探测

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    NbTaOx界面修饰用于高效钙钛矿太阳电池

    蒋君杨攻旅杨雨帆王梦辉...
    17-22页
    查看更多>>摘要：界面修饰能够调控钙钛矿太阳电池(PSC)的埋底界面缺陷,为提高PSC的光电转换效率与稳定性,在电子传输层和钙钛矿层之间引入NbTaOx界面修饰层,并研究其对正置结构的PSC光伏性能的影响.将含乙醇铌和乙醇钽的乙醇溶液旋涂在致密的SnO2电子传输层表面,待其缓慢水解,经退火即可在SnO2薄膜表面原位生长得到NbTaOx修饰层.结合荧光光谱、水接触角测试和紫外光电子能谱等探究其影响机制.测试结果表明,基于NbTaOx界面修饰层的PSC光电转换效率由19.14％提升至21.51％.NbTaOx不仅可以提升电子传输能力,减少载流子在界面处的复合,且有利于钙钛矿层的沉积,提高钙钛矿薄膜的结晶质量.

    界面修饰电子传输钙钛矿太阳电池(PSC)高效率稳定性

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    基于P3HT的有机薄膜晶体管环境稳定性提升

    李强丁莉峰李磊磊李禹文...
    23-31页
    查看更多>>摘要：电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长.为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定性隔绝空气中的氧分子和水分子;利用聚(3-己基噻吩)(P3HT)共混聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有源层获得高抗氧化性和抗水解能力.测试结果表明,经过60 d后器件载流子迁移率仅降低到原始值的87.91％,电流开关比降低到原来的81.90％,说明本文提出的环境稳定性提升方法优于其他方法.

    聚(3-己基噻吩)(P3HT)有机薄膜晶体管(OTFT)稳定性提升表面钝化有源层共混

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    不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性

    付兴中刘俊哲薛建红尉升升...
    32-38页
    查看更多>>摘要：SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据.通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析.结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标.

    SiCMOS电容氧化后退火(POA)平带电压漂移氧化物陷阱电荷可动电荷

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    n+/n-型硅衬底扩散片Xjn+理论分析与测试方法优化

    张现磊李立谦周涛张志林...
    39-45页
    查看更多>>摘要：n型衬底扩散片扩散深度(Xjn+)是n+/n-型硅衬底扩散片最重要的参数之一,Xjn+的理论计算对磷扩散生产和 Xjn+测试具有重要的指导意义.但现有扩散理论计算结果与实验数据差异较大,需更精准的计算方法.通过实验对Xjn+的测试与理论计算结果进行对比分析,引入了修正系数kn与kp,得到理论计算与测试结果吻合的Xjn+计算方法.并根据修正后的计算方法对染色法测试Xjn+进行了优化.新的Xjn+计算方法得到的结果与测试结果差异小于2％,可用于指导生产,且优化后的Xjn+测试方法更加便捷.

    衬底扩散片扩散系数修正协同扩散n型衬底扩散片扩散深度(Xjn+)计算Xjn+测试方法优化

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    一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术

    薛颜徐文荣于宗光李琨...
    46-54页
    查看更多>>摘要：针对Pipelined模数转换器(ADC)中采样电容失配和运放增益误差带来的非线性问题,提出了一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术.前台校准技术通过对ADC量化结果的余量分析,补偿相应流水级的量化结果,后台校准技术基于伪随机(PN)注入的方式,利用PN的统计特性校准增益误差.本校准技术在系统级建模和RTL级电路设计的基础上,实现了现场可编程门阵列(FPGA)验证并成功流片.测试结果显示,在1 GS/s采样速率下,校准精度为14 bit的Pipelined ADC的有效位数从9.30 bit提高到9.99 bit,信噪比提高约4 dB,无杂散动态范围提高9.5 dB,积分非线性(INL)降低约10 LSB.

    Pipelined模数转换器(ADC)电容失配增益误差前台校准后台校准

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    高性能YOLOv3-tiny嵌入式硬件加速器的混合优化设计

    谭会生肖鑫凯卿翔
    55-63页
    查看更多>>摘要：为解决在嵌入式设备中部署神经网络受算法复杂度、执行速度和硬件资源约束的问题,基于Zynq异构平台,设计了一个高性能的YOLOv3-tiny网络硬件加速器.在算法优化方面,将卷积层和批归一化层融合,使用8 bit量化算法,简化了算法流程;在加速器架构设计方面,设计了可动态配置的层间流水线和高效的数据传输方案,缩短了推理时间,减小了存储资源消耗;在网络前向推理方面,针对卷积计算,基于循环展开策略,设计了 8通道并行流水的卷积模块;针对池化计算,采用分步计算策略实现对连续数据流的高效处理;针对上采样计算,提出了基于数据复制的2倍上采样方法.实验结果表明,前向推理时间为232 ms,功耗仅为2.29 W,系统工作频率为200 MHz,达到了 23.97 GOPS的实际算力.

    YOLOv3-tiny网络异构平台硬件加速器动态配置架构硬件混合优化数据复制上采样

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    一种低功耗可级联拓展的电刺激IC

    吴黎霞张轩薛宁姚镭...
    64-70页
    查看更多>>摘要：设计了一种低功耗可级联拓展的电刺激芯片,该芯片主要由16个独立电刺激通道、一个全局数字控制器(GDC)及电流偏置模块组成.每个独立电刺激通道包含一个8 bit数模转换器(DAC)、一个高压刺激前端(SFE)电路以及通道本地数字控制器(LDC),能够输出脉冲幅度/宽度/相位间隔时间可独立配置的单极性双相脉冲刺激电流.GDC控制16个通道的配置和刺激使能,并有一个可进行多芯片级联拓展的控制接口.LDC和GDC共用同一组时钟/数据控制信号,节省了端口资源.提出的电路采用GF 0.18 ×m CMOS BCD高压工艺进行设计和制备,总面积为1.5 mm×3.1 mm.测试结果表明,在5 V/15 V/-15 V供电下,该电路的静态功耗为2.14 μW,最大输出电流为1 mA,输出200 ×A恒定电流时顺从电压为13.5 V.

    电刺激集成电路(IC)低功耗可拓展性多通道电刺激器

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    一种高精度的RC振荡器电路

    张亮王静冯玉明
    71-76页
    查看更多>>摘要：为了给微处理器芯片提供高精度的内部时钟,基于110 nm CMOS工艺设计了一种高精度电阻电容(RC)振荡器电路.通过在振荡器结构中引入充放电电流粗调电路、参考电压细调电路、温度系数调节电路,实现了对振荡器电路的工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的有效补偿.细调电路提取与电压、工艺及温度都无关的比例系数作为频率调节因子;温度系数调节电路通过合理匹配使得常温下电阻不受档位变化的影响,改善温度系数的同时提高了档位调节过程中的频率稳定性.芯片实测结果显示,经过粗调、细调和温度系数调节三重校正后,振荡器典型输出频率为8 MHz,在-40～150 ℃的全温度范围内频率变化小于±0.5％,实现了对RC振荡器电路工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的补偿.

    高精度电阻电容(RC)振荡器电压系数修调温度补偿CMOS工艺

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