半导体技术2022，Vol.47Issue(12) ：1009-1013.DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.12.011

Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC

Ku-Band GaN High Power High Efficiency Power Amplifier MMIC

王生国 高茂原 边照科 王彪 韩雷 刘帅
半导体技术2022，Vol.47Issue(12) ：1009-1013.DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.12.011
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Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC

Ku-Band GaN High Power High Efficiency Power Amplifier MMIC

王生国 1高茂原 2边照科 2王彪 2韩雷 2刘帅2
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
  • 2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
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摘要

采用0.25μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ku波段高输出功率放大器单片微波集成电路(MMIC).在器件结构上,通过优化场板尺寸参数提高器件的击穿电压,提升了其静态工作电压.在电路设计上,优化匹配结构以实现输出功率和效率的最佳匹配.测试结果表明,在14～16GHz,功率放大器MMIC实现了饱和输出功率大于100 W,功率附加效率大于40％.该48 V Ku波段GaN功率放大器MMIC具有高电压、大功率、高效率的特点,具有广阔的应用前景.

关键词

功率放大器(PA)/高电子迁移率晶体管(HEMT)/Ku波段/输出功率/场板/单片微波集成电路(MMIC)

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出版年

2022
半导体技术
中国电子科技集团公司第十三研究所

半导体技术

CSTPCD北大核心
影响因子：0.232
ISSN：1003-353X
参考文献量1
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