摘要
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求.混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1 μm、无凸点的永久键合.阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了发展前景.目前HB技术的焊盘直径/节距已达到0.75 μm/1.5 μm,热门研究方向包括铜凹陷、圆片翘曲、键合精度及现有设备兼容等,未来将突破更小的焊盘直径/节距.HB技术将对后摩尔时代封装技术的发展起到变革性作用,在未来的高密度、高可靠性异质异构集成中发挥重要的作用.