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直流反应磁控溅射Zn1-xCdxO薄膜的研究

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用直流反应磁控溅射法在n-Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜,最佳生长温度为450℃(x＝0.2).当x≤0.6时,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构,x＝0.8时,薄膜是由ZnO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物.透射光谱测试表明,通过改变合金薄膜中Cd的含量,可以调节Zn1-x-CdxO薄膜的禁带宽度.
Zn1-xCdxO Thin Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering

马德伟、叶志镇、黄靖云、赵炳辉

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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

Zn1-xCdxO薄膜 磁控溅射 禁带宽度

国家重点基础研究发展计划(973计划)国家自然科学基金

G200006830690201038

2003

半导体学报(英文版)
中国电子学会和中国科学院半导体研究所

半导体学报(英文版)

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.36
ISSN：1674-4926
年,卷(期)：2003.24(10)
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