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ZnO单晶薄膜光电响应特性

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对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.
Photoresponse of ZnO Single Crystal Film

李瑛、冯士维、杨集、张跃宗、谢雪松、吕长志、卢毅成

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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022

Department of Computer and Electrical Engineering,Rutgers University,Piscataway,NJ 08854,USA

单晶ZnO MOCVD 光电响应 AR膜 RF溅射损伤

北京市优秀人才培养基金

67002013200302

2006

半导体学报(英文版)
中国电子学会和中国科学院半导体研究所

半导体学报(英文版)

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.36
ISSN：1674-4926
年,卷(期)：2006.27(1)
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