重庆理工大学学报2021，Vol.35Issue(5) ：163-169.DOI:10.3969/j.issn.1674-8425(z).2021.05.022

氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

Research on Frequency Characteristics of SOI SiGe Heterojunction Bipolar Transistor with Nitride Stress Film

刘培培 文剑豪 魏进希 王冠宇 周春宇
重庆理工大学学报2021，Vol.35Issue(5) ：163-169.DOI:10.3969/j.issn.1674-8425(z).2021.05.022
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氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

Research on Frequency Characteristics of SOI SiGe Heterojunction Bipolar Transistor with Nitride Stress Film

刘培培 1文剑豪 1魏进希 1王冠宇 1周春宇2
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作者信息

  • 1. 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400065
  • 2. 燕山大学 理学院 河北省微结构材料物理重点实验室,河北 秦皇岛 066004
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摘要

为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si3 N4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si3 N4,使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax.采用SILVA-CO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响.结果表明:在埋氧化层厚度为190 nm,基区Ge组分为17％～30％的阶梯型分布且淀积Si3 N4薄膜引入应力时,截止频率fT约为638 GHz,最高振荡频率fmax约为795 GHz.与传统的SOI SiGe HBT相比,截止频率fT提高了38 GHz,最高振荡频率fmax提高了44 GHz.

关键词

单轴应变/SOI/SiGe/HBT/埋氧化层厚度/频率特性

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基金项目

国家自然科学基金(61704147)

河北省教育厅科学基金(QN2017150)

出版年

2021
重庆理工大学学报
重庆理工大学

重庆理工大学学报

CSTPCD北大核心
影响因子：0.567
ISSN：1674-8425
参考文献量4
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