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超低介PTFE基介质基板配方设计及基板性能

Formulation design and properties of ultra-low PTFE dielectric substrates

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针对超低介PTFE基介质基板配方工艺不稳定、基板介电常数高等问题,提出不同直径、不同铝硅原子比和不同填加比例空心球对基板介电性能等因素的影响探究方案.对不同直径和不同球壳厚度空心球对介电常数的影响进行了模拟,基于模拟结果进行了PTFE基空心球复合介质基板的制备,并对相关性能进行测试.实验结果显示:当空心球直径为80μm、球壳厚度为2.5μm、铝硅原子比为2:1、填加比例为35％时,制备的基板介电常数为2.0,介质损耗为0.0027,Z轴热膨胀系数为38.8×10-6/℃,吸水率为0.025％,为性能优良的超低介PTFE基复合介质基板材料.

武聪、李强、张立欣、贾倩倩

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中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220

空心球 PTFE 介电性能 介质基板

国家青年科学基金

52003272

2022

10.3969/j.issn.1674-8425(z).2022.12.024

重庆理工大学学报
重庆理工大学

重庆理工大学学报

CSTPCD北大核心
影响因子：0.567
ISSN：1674-8425
年,卷(期)：2022.36(12)
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