重庆理工大学学报2022，Vol.36Issue(12) ：190-195.DOI:10.3969/j.issn.1674-8425(z).2022.12.024

超低介PTFE基介质基板配方设计及基板性能

Formulation design and properties of ultra-low PTFE dielectric substrates

武聪 李强 张立欣 贾倩倩
重庆理工大学学报2022，Vol.36Issue(12) ：190-195.DOI:10.3969/j.issn.1674-8425(z).2022.12.024
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超低介PTFE基介质基板配方设计及基板性能

Formulation design and properties of ultra-low PTFE dielectric substrates

武聪 1李强 1张立欣 1贾倩倩1
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220
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摘要

针对超低介PTFE基介质基板配方工艺不稳定、基板介电常数高等问题,提出不同直径、不同铝硅原子比和不同填加比例空心球对基板介电性能等因素的影响探究方案.对不同直径和不同球壳厚度空心球对介电常数的影响进行了模拟,基于模拟结果进行了PTFE基空心球复合介质基板的制备,并对相关性能进行测试.实验结果显示:当空心球直径为80μm、球壳厚度为2.5μm、铝硅原子比为2:1、填加比例为35％时,制备的基板介电常数为2.0,介质损耗为0.0027,Z轴热膨胀系数为38.8×10-6/℃,吸水率为0.025％,为性能优良的超低介PTFE基复合介质基板材料.

关键词

空心球/PTFE/介电性能/介质基板

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基金项目

国家青年科学基金(52003272)

出版年

2022
重庆理工大学学报
重庆理工大学

重庆理工大学学报

CSTPCD北大核心
影响因子：0.567
ISSN：1674-8425
参考文献量5
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