摘要
为解决高热流密度功率裸芯片的散热问题,在功率模块腔体上设置了一种自闭环一体化微流道散热系统.将裸芯片共晶焊接到金刚石,再将金刚石共晶焊接到功率模块腔体,有效降低了裸芯片到功率模块腔体之间的传导热阻.通过实验和仿真探究了微流道形式和流道宽度对散热能力的影响.结果表明:相同条件下交联微流道散热性能较好,同时减小流道宽度,提高芯片温度性能.仿真结果与实验结果具有良好的一致性,最大误差为7.16%.提出的微系统具备较好的散热能力,在环境温度70℃下,可处理的芯片热流密度为320 W/cm2.
基金项目
重庆市自然科学基金(cstc2021jcyjmsxmX0497)