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电子与封装
2022,
Vol.
22
Issue
(1) :
1-6.
DOI:
10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0104
基于不同键合参数的Cu-Sn-Cu微凸点失效模式分析
Failure Mode of Cu-Sn-Cu Micro-Bumps Based on Different Bonding Parameters
张潇睿
电子与封装
2022,
Vol.
22
Issue
(1) :
1-6.
DOI:
10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0104
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来源:
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基于不同键合参数的Cu-Sn-Cu微凸点失效模式分析
Failure Mode of Cu-Sn-Cu Micro-Bumps Based on Different Bonding Parameters
张潇睿
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作者信息
1.
中国民用航空飞行学院航空工程学院,四川广汉618307
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摘要
电迁移已经成为影响微电子产品可靠性最严重的问题之一,长时间电流负载下,互连金属凸点内部由于空洞、裂纹等缺陷导致产品失效风险提高.为了研究不同键合参数下互连金属微凸点的失效模式,基于CB-600倒装键合机,得到了不同键合质量的芯片,并在不同电流密度负载下进行试验,得到了凸点组织演变行为及失效模式,为产品实际使用过程中可能出现的问题提供了参考.
关键词
键合参数
/
失效模式
/
微凸点
/
可靠性
引用本文
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出版年
2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装
影响因子:
0.206
ISSN:
1681-1070
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1
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