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期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    金铝键合界面行为分析与寿命模型研究

    张浩周伟洁李靖
    1-6页
    查看更多>>摘要：随着电子封装技术的飞速发展,金铝键合工艺作为一种重要的金属间连接方式,在电子器件的制造过程中得到了广泛的应用.然而,在高温环境下,金铝键合界面的寿命会出现退化现象,直接影响整个电子系统的稳定性和寿命.设计不同温度下的高温加速寿命试验,对比分析不同时间条件下的金铝键合界面行为,研究金铝键合焊点的机械性能退化规律.同时,利用Arrhenius模型构建了金铝键合焊点的特征寿命与绝对温度的寿命应力模型,并根据寿命应力模型分别预测了焊点在非工作状态与工作状态下的特征寿命.

    封装技术金铝键合高温加速寿命试验寿命模型

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    微纳铜材料的制备及其在封装互连中的应用

    彭琳峰杨凯余胜涛刘涛...
    7-17页
    查看更多>>摘要：半导体器件的快速发展对封装互连材料提出了更高的要求.微纳铜材料具有良好的导电、导热和机械性能.与常用的微纳银相比,微纳铜具有更强的抗电迁移能力和更低的成本,在封装互连领域被广泛应用.微纳铜材料的制备方法可分为化学法、物理法、生物法3类,其中化学液相还原法以低成本、高可控、工艺简单等优势占据重要地位.不同的封装互连工艺步骤需要不同形貌的微纳铜颗粒.微纳铜材料在封装互连中主要应用于芯片固晶、Cu-Cu键合、细节距互连等工艺,探讨了微纳铜材料在以上工艺中的应用,并对微纳铜材料在封装互连中的应用进行了展望.

    微纳铜化学液相还原法封装互连

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    IMC厚度对混装焊点热疲劳寿命的影响研究

    冉光龙王波黄伟龚雨兵...
    18-23页
    查看更多>>摘要：焊点的疲劳寿命成为衡量其长期可靠性的关键指标.金属间化合物(IMC)厚度对焊点的疲劳寿命有着显著影响.研究IMC厚度对热循环条件下混装焊点疲劳寿命的影响,结果表明,随着IMC厚度的增加,焊点的热疲劳寿命不断降低.此外,焊点中应力和应变的分布受IMC厚度的影响较小,但其数值随着IMC厚度的增加而增加.同时,塑性应变也随着IMC厚度的增加而增加.基于Coffin-Manson模型得到混装焊点的热疲劳寿命与IMC厚度之间存在对数关系.

    混装焊点金属间化合物热循环疲劳寿命

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    面向高密度数字SiP应用的封装工艺研究

    柴昭尔卢会湘徐亚新李攀峰...
    24-28页
    查看更多>>摘要：面向高密度数字系统级封装(SiP)应用,采用多芯片一体化封装技术,在系统内部集成了数字信号处理器(DSP)以及外围的DDR3、SPI Flash、Nor Flash、Nand Flash、低压差稳压器(LDO)等多颗芯片,并基于高密度陶瓷封装基板及表面多层薄膜工艺实现了各芯片之间的高速互连.此外,利用无硅通孔转接板工艺完成了 DDR芯片从引线键合到倒装的封装形式的重构,在保证传输距离的同时也保证了芯片封装尺寸的最小化.在35 mm×40 mm的封装尺寸内实现了一个具备数字信号处理功能的最小系统.所涉及到的技术为通用基础技术,可广泛应用于其他高密度封装产品中.

    陶瓷基板多层薄膜封装重构

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    适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计

    莫愁王艳芳李嘉威陆楠楠...
    29-34页
    查看更多>>摘要：自旋转移力矩随机磁存储器(STT-MRAM)是一种新型的非易失性存储器,在各行各业均具有广泛的应用前景.STT-MRAM使用磁隧道结(MTJ)器件来存储信息,写电压通常是零温度系数的,但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性,高温时写电压与临界翻转电压相差较大,影响器件寿命,低温时写电压与临界翻转电压接近,甚至可能低于临界翻转电压,导致写入困难.针对MTJ的临界翻转电压的负温度特性,设计了一款宽温区温度自适应的写电压产生电路,在-40～125 ℃下为MTJ提供稳定的写电压,实现宽温度范围尤其是低温下数据的正常写入,并提高了高温下器件的寿命.经过后仿真验证,该电路在-40～125 ℃温度范围内均能实现MTJ成功写入,且写入电压与临界翻转电压的差值在100 mV左右.

    自旋转移力矩随机磁存储器磁隧道结宽温区温度自适应写电压产生电路

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    基于FPGA的高精度时间数字转换器设计与实现

    项圣文包朝伟蒋伟唐万韬...
    35-41页
    查看更多>>摘要：高精度时间间隔测量是激光测距、雷达、示波器等多种科学和工程领域中的关键技术.为了提高测量的精确度,使用FPGA器件抽头延迟链实现高精度时间数字转换器(TDC),通过脉冲计数法和抽头延迟线法实现完整时钟周期和非完整时钟周期的测量,并提出一种使用锁相环(PLL)动态调相功能测量延迟链精度的方法,PLL调相精度为15.625 ps,通过多级延迟链级联取平均值的方式减小PLL调相精度引入的测量误差,最小测量误差为0.312 5 ps.以紫光同创Logos2系列FPGA芯片实现TDC的设计,仿真验证和板级测试结果证明,使用50级延迟链能实现非完整时钟周期的测量,测量精度为71 ps,TDC时间间隔测量范围小于4.295 0 ms.

    时间数字转换器高精度FPGA进位链抽头延迟线

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    一种自激式推挽隔离变换电路设计

    郭靖孙鹏飞袁柱六
    42-46页
    查看更多>>摘要：电子设备供电常采用分布式供电架构,将一次电源通过直流-直流功率变换为电子设备所需的各种电压和功率.电子设备的端电压越来越低(如给MCU、FPGA等器件供电的电压为1.5～3.3 V),而电子设备中一些信号数字电路、驱动电路等需要电压为5 V或者12 V、功率约为1W的小功率供电电源,同时需要隔离主功率电路和信号电路的相互干扰,保证信号电路的精密度和信号完整性,如果从一次电源母线直接进行功率变换,转换效率低、体积大、质量大.为满足电子设备的供电需要以及对效率、体积、质量的要求,基于Royer变换电路提出一种自激推挽式隔离变换电路,通过研究该电路的工作原理,进行模态分析,给出了关键元器件参数的计算与设计过程,在此基础上通过电路试验研制出样品,验证了其可行性.

    功率变换自激振荡推挽变换Royer电路混合集成

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    一种正负电源供电伺服系统中的半桥驱动电路设计

    孙鹏飞李昕煜张志阳
    47-51页
    查看更多>>摘要：针对正负电源供电的直流电机伺服系统,通常采用半桥驱动电路对电机进行调速与控制.相比于全桥驱动电路,半桥驱动电路结构简单,且节省功率器件,能够提高驱动效率,具有一定的应用优势.详细介绍了一种用于正负电源供电直流电机伺服系统中的半桥驱动电路的设计方法.介绍了电路的设计思路,对电路中的方波积分、脉宽调制、死区时间设置、电压自举及半桥驱动等模块的工作原理及设计方法进行了详细阐述,并通过仿真输出波形和样机实际输出波形验证了该设计方法的合理性.

    脉宽调制死区时间设置电压自举半桥驱动

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    采用交叉耦合误差放大器的低压高增益LDO设计

    张锦辉朱春茂张霖
    52-58页
    查看更多>>摘要：设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性.采用0.35 μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最大电流为100 mA.仿真结果表明,构建的LDO可以将输出电压稳定在1.2 V,环路的低频增益在轻载的情况下高达122 dB,芯片面积为0.196 mm2,且相位裕度在重载情况下亦能做到大于58°,静态电流为21.2 μA.由于交叉耦合误差放大器的使用,电路的精度得到很大提高,负载调整率可以达到0.007％,所设计的LDO有较高的应用价值.

    低压交叉耦合LDO跨导运算放大器

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    基于SiP的半导体激光器恒温控制及驱动系统设计

    蔡洪渊康伟齐轶楠邵海洲...
    59-64页
    查看更多>>摘要：恒定的温度环境及稳定的电流注入是半导体激光器稳定工作的重要条件.传统恒温控制系统和光源电流驱动系统采用电压基准源、运放、功率三极管、MOSFET等分立器件实现,大量分立器件导致了系统电路复杂、可靠性低等问题.利用系统级封装(SiP)技术,将恒温控制系统与光源电流驱动系统进行高密度集成,实现了小型化、集成化、低成本的设计.通过系统级电路和热仿真分析,确保器件设计的可靠性.测试结果表明,该器件的参数满足要求.

    系统级封装半导体激光器恒温控制驱动电流

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