摘要
将激光修调、化学镀、光刻等技术与常规低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic,LTCC)基板工艺技术相结合,对LTCC高精密封装基板的制作工艺进行开发和优化,并利用9K7材料进行了基板试制.结果 显示,基板表面线条细度达到(50±5)μm,表面导体图形位置精度优于±10 μm.基板表面Ni/Pd/Au镀层可焊性/耐焊性优良,2 mm×2 mm焊盘的锡铅焊接拉力强度达到2.8 kg以上,25 μm金丝的键合强度达到10 g以上.基板表面阻焊开口尺寸达到(80±10) μm,具有良好的阻焊性能.对试制的LTCC高精密封装基板进行了装配和测试,在12 mm×13 mm的尺寸上实现4颗射频芯片的倒扣装配,功能模块在W波段具有良好的射频性能.LTCC高精密封装基板显现出高密度、高性能封装能力.
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