电子与封装2022，Vol.22Issue(1) ：27-30.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0103

LDO失效分析及改善

LDO Failure Analysis and Countermeasure

胡敏
电子与封装2022，Vol.22Issue(1) ：27-30.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0103
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LDO失效分析及改善

LDO Failure Analysis and Countermeasure

胡敏1
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作者信息

  • 1. 乐山无线电股份有限公司,四川乐山614000
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摘要

低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)新品导入中,过强的铜线焊接会使焊球下芯片层间电介质层(Interlayer Dielectric,ILD)产生裂纹,从而导致器件测试漏电流失效或可靠性失效.通过对芯片结构的分析,指出LDO漏电流失效的原因,同时详细讨论了如何确定合理的铜线焊接参数、如何检测失效以及失效分析步骤.

关键词

低压差线性稳压器/铜线焊接/漏电流失效,可靠性/ILD层裂纹

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
参考文献量4
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