电子与封装2022，Vol.22Issue(1) ：39-44.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0108

基于SiP技术的多片DDR3高速动态存储器设计

Design of Multi-Chip DDR3 High-Speed Dynamic Memory Based on SiP Technology

张小蝶 邱颖霞 许聪 邢正伟
电子与封装2022，Vol.22Issue(1) ：39-44.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0108
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基于SiP技术的多片DDR3高速动态存储器设计

Design of Multi-Chip DDR3 High-Speed Dynamic Memory Based on SiP Technology

张小蝶 1邱颖霞 2许聪 2邢正伟1
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作者信息

  • 1. 安徽芯纪元科技有限公司,合肥230000
  • 2. 安徽芯纪元科技有限公司,合肥230000;中国电子科技集团公司第三十八研究所,合肥230088
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摘要

基于系统级封装(System in Package,SiP)技术,结合自研自主可控DSP处理器"魂芯"Ⅱ-A和多片DDR3颗粒,详细介绍了一款高速动态存储控制一体化SiP设备的设计方案和仿真验证分析结果.重点介绍了此款SiP的电路拓扑设计、版图设计,并从拓扑结构波形仿真、DDR3时序裕量计算、与板级实现方案对比三方面对其PCB后仿进行了分析和验证,仿真结果符合规范要求,证明了所采用的Fly-By拓扑适用于CPU与多片DDR3颗粒所组成的一体化SiP设备,且SiP设备性能优于板级实现方案.

关键词

DDR3/高速电路/SiP/信号完整性/Sigrity仿真

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量2
参考文献量2
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