电子与封装2022，Vol.22Issue(1) ：77-81.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0107

基于0.18 μm CMOS加固工艺的抗辐射设计

Radiation Hardened Design Based on 0.18 μm CMOS Reinforcement Process

姚进 周晓彬 左玲玲 周昕杰
电子与封装2022，Vol.22Issue(1) ：77-81.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0107
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基于0.18 μm CMOS加固工艺的抗辐射设计

Radiation Hardened Design Based on 0.18 μm CMOS Reinforcement Process

姚进 1周晓彬 1左玲玲 1周昕杰1
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作者信息

  • 1. 中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214072
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摘要

为降低抗辐射设计对元器件基本性能的影响,基于0.18μm CMOS加固工艺,通过场区注入工艺实现总剂量(Total Ionizing Dose,TID)加固,优化版图设计规则实现单粒子闩锁(Single Event Latch-up,SEL)加固,灵活设计不同翻转指标要求实现单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)加固.利用以上加固方法设计的电路,证明了加固工艺平台下的抗辐射电路在抗辐射性能及面积上具有明显优势.

关键词

抗辐射/总剂量/单粒子闩锁/单粒子翻转/全局三模冗余

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量3
参考文献量3
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