电子与封装2022，Vol.22Issue(4) ：1-9.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0412

4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展

Research Progress on Reliability of 4H-SiC Power MOSFET

白志强 张玉明 汤晓燕 沈应喆 徐会源
电子与封装2022，Vol.22Issue(4) ：1-9.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0412
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4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展

Research Progress on Reliability of 4H-SiC Power MOSFET

白志强 1张玉明 1汤晓燕 1沈应喆 1徐会源1
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作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
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摘要

4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单、开关时间短、功率密度大、转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前景.但该器件在可靠性方面仍存在一些问题,如长期工作时的可靠性和动态工作中一些极端情况下的可靠性问题.针对器件的长期可靠性问题,阐述了长期可靠性的表征方法,栅介质制备工艺对长期可靠性的影响和长期可靠性机理研究的相关成果.在动态可靠性方面,对雪崩测试、短路测试和浪涌测试的实验现象和失效机制分析进行了综述.

关键词

碳化硅/MOSFET/可靠性

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基金项目

国家重点研发计划(2020YFB0407800)

陕西省重点研发计划(2018ZDL-GY01-03)

陕西省重点研发计划(2020ZDLGY03-07)

出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量3
参考文献量3
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