摘要
设计了一种低压输出电路,其输出波形的转化速率(Slew Rate,SR)对工艺、电压、温度(Process,Voltage,Temperature,PVT)和负载的变化不敏感.由于N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor,NMOS)具有高速和低导通电阻的优点,输出缓冲器被设计成双NMOS管串联结构.为了得到对PVT和负载不敏感的SR,在预驱动电路和输出缓冲器间引入了反馈电容.Hspice的仿真结果显示,当输入信号频率为5 MHz时,负载电容从20 pF变化到80 pF,输出的上升时间和下降时间仅仅变化了 0.6ns和1.3 ns,与传统电路相比性能提高了 257.6%.不同的PVT下,输出的上升时间和下降时间变化了 1.2ns和2.8ns,与传统电路相比性能提高了 62.4%.