电子与封装2022，Vol.22Issue(4) ：59-63.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0404

基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究

Research on Temperature Uniformity Based on Graphite Susceptor for Silicon Epitaxial Wafer

冯永平 何文俊 任凯
电子与封装2022，Vol.22Issue(4) ：59-63.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0404
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基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究

Research on Temperature Uniformity Based on Graphite Susceptor for Silicon Epitaxial Wafer

冯永平 1何文俊 1任凯1
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作者信息

  • 1. 南京国盛电子有限公司,南京 211153
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摘要

通过对电磁感应加热的硅外延化学气相沉积反应腔室建立理论分析模型,结合工程实验对比,研究了不同石墨材料和不同基座结构对基座表面温度均匀性的影响.结果显示,在工程中,选择合适的石墨材料、设计合适的基座结构对硅外延片电阻率均匀性有着很大的影响,但在提升产品质量的同时也要平衡经济效益.

关键词

电磁感应/石墨基座/石墨材料/基座结构/电阻率均匀性

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量1
参考文献量5
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