电子与封装2022，Vol.22Issue(5) ：1-9.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0501

SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展

Research Progress of Irradiation Induced Defects Experiment of SiC Power Device

杨治美 高旭 李芸 黄铭敏 马瑶 龚敏
电子与封装2022，Vol.22Issue(5) ：1-9.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0501
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SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展

Research Progress of Irradiation Induced Defects Experiment of SiC Power Device

杨治美 1高旭 2李芸 1黄铭敏 1马瑶 1龚敏1
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作者信息

  • 1. 四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室,成都 610064;四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064
  • 2. 四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室,成都 610064
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摘要

第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效.简要介绍了 SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律,分析总结重离子辐照SiC功率器件中一些关键技术问题,特别是不同温度辐照诱生缺陷形成机理的异同,为今后深入开展SiC肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)的辐照诱生缺陷、器件性能退化研究及SiC相关器件的材料抗辐照性能的改善和结构优化提供实验数据和理论依据.

关键词

碳化硅/辐照诱生缺陷/深能级缺陷/电学性能/重离子辐照

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基金项目

国家自然科学基金(61704116)

国家自然科学基金(61974096)

模拟集成电路重点实验室基金(6142802190505)

国防科技工业抗辐照应用技术创新中心项目(KFZC2020021001)

出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
参考文献量3
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