电子与封装2022，Vol.22Issue(5) ：10-16.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0502

碳化硅器件封装进展综述及展望

Review and Prospect of SiC Device Packaging

杜泽晨 张一杰 张文婷 安运来 唐新灵 杜玉杰 杨霏 吴军民
电子与封装2022，Vol.22Issue(5) ：10-16.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0502
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碳化硅器件封装进展综述及展望

Review and Prospect of SiC Device Packaging

杜泽晨 1张一杰 1张文婷 1安运来 1唐新灵 1杜玉杰 1杨霏 1吴军民1
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作者信息

  • 1. 全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室,北京 102209
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摘要

碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点.应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大,难以匹配SiC器件的快速开关特性,同时在高温工况下封装可靠性大幅降低,为充分发挥SiC器件的优势需要改进现有的封装技术.针对上述挑战,对国内外现有的低寄生电感封装方式进行了总结.分析了现有的高温封装技术,结合新能源电力系统的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望.

关键词

SiC/低寄生电感/混合封装/3D封装/平面互连/双面散热/高温封装

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基金项目

国网科技项目(5500-202158495A-0-5-ZN)

出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量6
参考文献量4
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