电子与封装2022，Vol.22Issue(7) ：7-12.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0706

基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法

Single Event Effect Testing Method Based on Billion-Gate UltraScale+Architecture FPGA

谢文虎 郑天池 季振凯 杨茂林
电子与封装2022，Vol.22Issue(7) ：7-12.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0706
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基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法

Single Event Effect Testing Method Based on Billion-Gate UltraScale+Architecture FPGA

谢文虎 1郑天池 1季振凯 1杨茂林1
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作者信息

  • 1. 无锡中微亿芯有限公司,江苏无锡214072
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摘要

UltraScale+架构FPGA采用16 nm FinFET工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险.基于线性能量传输(LET)等效机理,选取7Li3+、19F9、35Cl11,14+、48Ti10,15+、74Ge11,20+、127I15,25+、181Ta、209Bi 8种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单粒子闩锁(SEL)、翻转阈值、翻转截面及多位翻转的测定方法.结合LET通量及FinFET结构下的注射倾角,搭建甄别单位翻转及多位翻转的识别算法,能够实时处理并实现粒子翻转状态及多位翻转数据的可视化监控.所涉及的单粒子效应(SEE)分析方法能够较为全面地评估该电路的抗辐照特性.

关键词

FinFET/SRAM型FPGA/单粒子效应/多位翻转/抗辐照测试

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量2
参考文献量5
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