片上SRAM物理不可克隆函数特性优化设计

Optimal Design of Physically Unclonable Function Characteristics of on-Chip SRAM

高国平 ¹赵维林¹

扫码查看

作者信息

1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072
折叠

摘要

业内常用静态随机存储器(SRAM)物理不可克隆函数(PUF)通过片上SRAM上电初始状态的固有物理特性生成系统安全密钥.但在系统不能充分掉电的情况下,片上集成SRAM上电后保持了上次掉电前的状态,无法生成固有的物理特性密钥.提出了一种在系统不能充分掉电情况下的电源控制电路,确保SRAM单元充分掉电,从而保证片上SRAM上电初始状态的物理特性.

关键词

静态随机存储器/物理不可克隆函数/上下电控制

引用本文复制引用

出版年

2022

电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206

ISSN：1681-1070

参考文献量10

段落导航