摘要
利用60Co γ射线对P型栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)开展零偏置状态下总剂量辐射试验及常温退火试验,测试GaNHEMT直流特性参数对总剂量效应(TID)的响应规律.试验结果表明,γ射线辐照后器件阈值电压、跨导峰值和饱和漏极电流发生不同程度的退化,而栅泄露电流和导通电阻变化甚微.在剂量为0.6Mrad(Si)的条件下,经过120h的退火试验,器件阈值电压未发生明显的恢复,跨导峰值反而有轻微退化的趋势.从试验数据可知,器件直流特性退化主要是由于辐照引起二维电子气(2DEG)浓度下降,载流子迁移率降低,感生界面态陷阱导致.研究结果对GaNHEMT器件宇航应用可靠性的评估给予了有益参考.
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