电子与封装2022，Vol.22Issue(7) ：49-52.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0708

200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究

Study on Generation Mechanism and Control Method of Time-Dependent Haze on 200 mm Silicon Epitaxial Wafer

刘勇 仇光寅 邓雪华 杨帆 金龙
电子与封装2022，Vol.22Issue(7) ：49-52.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0708
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200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究

Study on Generation Mechanism and Control Method of Time-Dependent Haze on 200 mm Silicon Epitaxial Wafer

刘勇 1仇光寅 1邓雪华 1杨帆 1金龙1
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  • 1. 南京国盛电子有限公司,南京211111
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摘要

针对硅外延加工过程及所处环境,研究了 200mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HC1)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾的主要原因.通过增强硅外延设备排外能力降低环境中的阳离子浓度,可有效降低时间雾产生的概率.

关键词

硅外延/时间雾/环境阳离子/载片腔/氯化氢

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量1
参考文献量3
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