摘要
利用计算机辅助设计软件,研究了不同条件下28nm体硅器件的单粒子瞬态(SET)效应,分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响.随着器件漏极间距的减小,SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小.与垂直入射的情况相比,倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显,电荷共享效应更加显著.仿真结果表明,合理调节反相器相异节点的器件间距,利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲,减少单粒子效应的反应截面.
基金项目
抗辐射应用技术创新中心创新基金(KFZC2021010202)
维普
万方数据