电子与封装2022，Vol.22Issue(7) ：64-68.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0715

辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响

Influences of Irradiation Source on Total Ionizing Dose Characteristics of LVMOS Devices

陶伟 刘国柱 宋思德 魏轶聃 赵伟
电子与封装2022，Vol.22Issue(7) ：64-68.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0715
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辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响

Influences of Irradiation Source on Total Ionizing Dose Characteristics of LVMOS Devices

陶伟 1刘国柱 1宋思德 1魏轶聃 1赵伟1
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072
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摘要

基于0.18 μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了 60Co(315 keV)与X射线(40keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响.研究结果表明,在相同偏置条件下,60Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用.由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO2层中产生的电子与空穴高于60Co.

关键词

总剂量辐射电离/阈值电压/60Co/X射线

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基金项目

国家自然科学基金面上项目(62174150)

江苏省自然科学基金面上项目(BK20211040)

出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量1
参考文献量4
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