电子与封装2022，Vol.22Issue(9) ：64-68.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0911

一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT

Novel Superjunction Reverse Conducting IGBT Without Voltage Snapback Phenomenon

吴毅 夏云 刘超 陈万军
电子与封装2022，Vol.22Issue(9) ：64-68.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0911
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一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT

Novel Superjunction Reverse Conducting IGBT Without Voltage Snapback Phenomenon

吴毅 1夏云 1刘超 1陈万军1
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作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
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摘要

提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT),并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真.提出的超结RC-IGBT通过超结的P柱将集电极N+区域与P+区域隔开,消除了传统超结RC-IGBT正向导通时存在的折回现象.与传统超结RC-IGBT结构相比,在导通电流密度为100A/cm2时,新结构的正向导通压降减少了 20.9％,反向导通压降减少了 20.7％,在相同正向导通压降(1.55V)下,新结构的关断损耗降低了 19.9％.

关键词

逆导/超结/电压折回/IGBT/导通压降/关断损耗

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量1
参考文献量2
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