电子与封装2022，Vol.22Issue(9) ：74-79.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0915

一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究

Study on a Thin Layer SOI LIGBT Device with Partial Superjunction

周淼 汤亮 何逸涛 陈辰 周锌
电子与封装2022，Vol.22Issue(9) ：74-79.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0915
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一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究

Study on a Thin Layer SOI LIGBT Device with Partial Superjunction

周淼 1汤亮 1何逸涛 2陈辰 3周锌4
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214035
  • 2. 株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲 412000
  • 3. 电子科技大学功率集成技术实验室,成都 610054
  • 4. 电子科技大学功率集成技术实验室,成都 610054;电子科技大学广东电子信息工程研究院,广东东莞 523000
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摘要

基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOILIGBT).分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻.测试结果表明,该器件的耐压达到816V,比导通电阻仅为12.5Ω·mm2.

关键词

介质场增强理论/横向绝缘栅双极型晶体管/线性变掺杂技术/超结/击穿电压/比导通电阻

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基金项目

国家自然科学基金(62004034)

广东省自然科学基金(2022A1515012264)

出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
参考文献量1
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