电子与封装2022，Vol.22Issue(10) ：56-60.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1011

基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路

High Speed MOSFET Gate Drive Circuit with Bipolar Process

邱旻韡 屈柯柯 李思察 郭刚
电子与封装2022，Vol.22Issue(10) ：56-60.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1011
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基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路

High Speed MOSFET Gate Drive Circuit with Bipolar Process

邱旻韡 1屈柯柯 1李思察 1郭刚2
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214035
  • 2. 中国原子能科学研究院,北京 102413
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摘要

基于2 μm双极工艺设计了全新的高速功率栅驱动电路,并内置了死区时间控制电路,该电路可以防止驱动器内部电源接地形成短路而烧毁器件.工作电压范围为5～35 V,传输上升延迟时间不大于25ns,下降延迟时间不大于32ns,上升、下降建立时间不超过12ns,工作电流不超过45mA.

关键词

功率栅驱动电路/延迟时间/死区时间控制

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
参考文献量10
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