电子与封装2022，Vol.22Issue(10) ：66-75.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1003

增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展

Implementation Methods and Research Progress of Enhanced GaN HEMT Devices

穆昌根 党睿 袁鹏 陈大正
电子与封装2022，Vol.22Issue(10) ：66-75.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1003
✕
  • 维普
  • 万方数据

增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展

Implementation Methods and Research Progress of Enhanced GaN HEMT Devices

穆昌根 1党睿 2袁鹏 1陈大正1
扫码查看

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
  • 2. 西安航天精密机电研究所,西安 710100
  • 折叠

摘要

考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著.目前有许多方法可以实现增强型GaN HEMT器件,如使用p型栅技术、凹栅结构、共源共栅(Cascode)结构、氟离子处理法、薄势垒AlGaN层以及它们的改进结构等.分别对使用以上方法制备的增强型GaN HEMT器件进行了综述,并对增强型GaN HEMT器件的最新研究进展进行了总结,探索未来增强型GaN HEMT器件的发展方向.

关键词

GaN/HEMT器件/凹栅结构/p-GaN/薄势垒

引用本文复制引用

基金项目

国家自然科学基金(62004151)

出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量3
参考文献量3
段落导航相关论文