电子与封装2022，Vol.22Issue(11) ：58-62.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1112

Ku波段200W GaN功率放大器的设计与实现

Design and Implementation of 200 W GaN Power Amplifier in Ku-Band

苏鹏 顾黎明 唐世军 周书同
电子与封装2022，Vol.22Issue(11) ：58-62.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1112
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Ku波段200W GaN功率放大器的设计与实现

Design and Implementation of 200 W GaN Power Amplifier in Ku-Band

苏鹏 1顾黎明 1唐世军 1周书同1
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作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,南京 210016
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摘要

研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器,功率放大器采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行功率合成,总栅宽为38.4 mm.以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据,采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计.该GaN功率放大器在14.5～15.0GHz频率范围内的输出功率(Pout)大于200W,功率增益(Gp)大于7dB,最高功率附加效率(ηPAE)达到43％.

关键词

Ku波段/GaN/大功率/功率放大器

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量1
参考文献量4
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