摘要
采用0.15 μmGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款17～21GHz 6 bit高精度数字移相器.该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构.测试结果表明,在17～21GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 dB,均方根相位误差(RMS)值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 dB和0.6 dB之间,电压驻波比(VSWR)小于1.5.
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