摘要
采用0.25 μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2.3～3.8 GHz频段的低插入损耗、高精度、小尺寸且集成数字驱动器的6位数字移相器.移相器中的6个移相单元按45°/90°/5.625°/11.25°/180°/22.5°的顺序级联.为了改善移相精度和抑制级联散射,进一步优化了移相单元的电路设计.在2.3～3.8 GHz频率范围内,数字移相器的相位均方根误差最大值为4°,输入输出电压驻波比小于1.4,插入损耗小于4dB,各状态的幅度波动小于0.8 dB,芯片尺寸为 2.44 mm×1.52 mm.
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